2020年12月29日，上海凱世通半導體股份有限公司（下文簡稱 “凱世通”或“KINGSTONE”）針對Advanced Ion Beam Technology, Inc.(下文簡稱“AIBT”)主體涉嫌違約的行為向香港行政區高等法院提起訴訟。目前香港高等法院已向AIBT公司發出法院傳票(High-court Civil Action number: HCA2181/2020)。據悉，此次訴訟為近年來首家大陸半導體設備公司對同業公司進行跨境法律維權起訴。
圖片來源：香港高等法院對AIBT公司的傳票
據雙方此前簽訂的協議規定，原告KINGSTONE擁有超越7nm技術的集成電路芯片離子注入機的原創設計與開發的技術及產品。被告AIBT憑借購買原告KINGSTONE原創設計并生產的離子注入平臺與其現有離子束系統（也是由KINGSTONE的創始團隊成員開發）相結合，以此確立其在離子注入技術領域中的領先地位。協議規定AIBT在3年內必須且不可逾越地從KINGSTONE購買相關產品，而由于AIBT違反條約直接逾越KINGSTONE與上游零部件供應商簽訂單，KINGSTONE在針對此違約事項與AIBT多次主動溝通無果后，向其正式提起訴訟。
圖片來源：香港高等法院對AIBT公司的傳票
相關人士表示，如果AIBT逾越KINGSTONE直接采購上游零部件、組裝并銷售相關產品，必然侵犯KINGSTONE的知識產權。離子注入設備作為芯片制造工序中關鍵一環，只有打破核心設備的進口依賴，才能最終實現“中國芯”的自主制造。在面臨國產化半導體設備遭受多方掣肘的背景下，KINGSTONE持續發力攻堅，現已擁有原創的超越7納米芯片半導體離子注入機技術，并實現我國半導體設備領域國產設備商用化重大突破。隨著半導體核心設備逐步實現中高端國產化，國產半導體設備領域也迎來了主導話語權，而加速產業國產化進程的同時，國內企業的海內外技術布局以及保護方面的意識也將顯著增強，這也將會引領產業搶占發展制高點，在新一輪國際競爭中贏得先機。