當(dāng)前三星的第六代V-NAND閃存采用單層堆疊技術(shù)，最多可具有128層。引入雙層堆疊技術(shù)后，使256層NAND閃存成為可能。不過下一代NAND閃存會否配置256層，取決于三星接下來的考量。

　　在昨日舉行的投資者論壇上，全球存儲芯片龍頭廠商三星電子透露，它將在其未來的NAND閃存芯片中采用“雙層堆疊”（Double-stack Technology）技術(shù)，并且有可能開發(fā)256層設(shè)備。

　　雙層堆疊使256層閃存可行

　　NAND閃存是一種非易失性存儲器，由于保存資料時不需要消耗電力，斷電也可以存儲數(shù)據(jù)。

　　NAND閃存制造的技術(shù)實(shí)力可以通過設(shè)備中堆疊的存儲單元層數(shù)來衡量，更多的層數(shù)意味著更高的容量和更大的密度。與單層堆疊解決方案相比，雙層堆疊的方法可以更快地集成更多層。

　　三星V-NAND技術(shù)圖解/圖源三星

　　去年8月，三星推出了第六代V-NAND閃存。為使V-NAND具有超過100層的可行性，三星采用了新的電路設(shè)計技術(shù)。當(dāng)前，三星計劃利用雙層堆疊技術(shù)來開發(fā)其下一代V-NAND閃存。

　　閃存市場供過于求持續(xù)，但存儲供應(yīng)商不改積極擴(kuò)產(chǎn)態(tài)勢，競爭日益激烈。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)，三星是全球最大的NAND閃存制造商，今年第三季度的市場份額為33.1％。

　　在下一代閃存中引入雙層堆疊方案，三星此舉有助于進(jìn)一步鞏固其領(lǐng)先地位。

　　據(jù)韓聯(lián)社報道，第七代V-NAND正處于開發(fā)階段，預(yù)計將于明年量產(chǎn)，但三星尚未公布其層配置。三星電子高級副總裁韓進(jìn)滿表示：“我們的第六代V-NAND采用單堆疊技術(shù)最多可具有128層，但如果我們采用雙層堆疊技術(shù)，256層堆疊是可能的。”

　　最佳層數(shù)取決于市場

　　雖然在技術(shù)上可以實(shí)現(xiàn)256層NAND閃存，但是韓進(jìn)滿表示，這并不一定意味著三星的下一代NAND將具有這樣的層數(shù)配置。

　　韓進(jìn)滿說：“芯片中堆疊的實(shí)際層數(shù)可能會根據(jù)消費(fèi)者的需求和市場狀況而變化。”“這不是關(guān)于‘你可以堆疊多少層’，而是關(guān)于‘目前市場上最佳的層數(shù)”。“

　　集邦咨詢分析師葉茂盛 在探討全球閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢時給出預(yù)測：制程方面，在2020年NAND Flash疊堆技術(shù)突破100層后，2021年繼續(xù)往150層以上推進(jìn)。與此同時，單芯片容量也將自256/512Gb推進(jìn)至512Gb/1Tb。

　　葉茂盛指出，2021年廠商將積極借助成本改善吸引客戶升級容量。