由于新冠疫情的原因，2020年的第66屆IEDM轉(zhuǎn)為線上舉辦，但是這并沒有影響IEDM對于半導體制造行業(yè)的重要性，今年的IEDM依然看點眾多。2020 IEDM Press kit今天剛剛披露了會議的重點文章簡介和會議環(huán)節(jié)，以下簡單介紹一下本次會議中筆者認為較為有趣的幾份技術更新。
40 kV Silicon Vacuum Transistor
硅基真空電子管示意圖
文章編號5.2，“Demonstration of a ~40 kV Si Vacuum Transistor as a Practical High Frequency and Power Device,” W. Chernet al, MIT/ Harvard/ Massachusetts General Hospital。
由MIT的團隊帶來的第一個工作在約40 kV的Si真空晶體管。這樣的高電壓電平通常采用SiC和GaN等寬帶隙材料。該Si真空晶體管由門控場發(fā)射陣列（FEA，電子源），真空漂移區(qū)和金屬陽極組成。電子通過隧道從門控場發(fā)射陣列發(fā)射到真空中并在陽極被收集。真空度決定了傳輸特性和高壓隔離度。他們說，這些器件的高臨界電場和無限制的載流子速度可以導致緊湊的高性能真空設備在所有指標上均能勝過固態(tài)器件，從而使其適用于一系列大功率和高頻應用，也可以用作下一代X射線源。
圖1，不同真空器件測試設置的示意圖。在這兩種方法中，F(xiàn)EA電子源都位于真空中的金屬陽極下方，從而形成了垂直器件。在器件A中，將直徑為1mm的浮球陽極移動到距離FEA芯片一段距離d。在器件B中，固定的45度鉬陽極距離FEA約為1.5厘米。
圖2，（a）通過自對準制造工藝形成的？200-300nm孔徑的門控尖端陣列 （b）直徑為200 nm的納米線（約6-10μm高）。在該納米線的頂部，存在一個尖銳的尖端，以集中周圍多晶硅柵極的電場。
表1，表格比較了各種半導體材料的基本材料特性及其Johnson品質(zhì)因數(shù)（JFOM，這是一種衡量半導體材料對高頻功率晶體管應用的適用性的指標）。它表明，由于真空晶體管的高飽和速度和臨界電場，其真空晶體管的JFOM遠遠超過了任何半導體。
Stacked NMOS-on-PMOS Nanoribbons
文章編號20.6，“3-D Self-Aligned Stacked NMOS-on-PMOS Nanoribbon Transistors for Continued Moore's Law Scaling,”C.-Y. Huang et al, Intel。
從平面MOSFET到FinFET，再到GAAFET，新穎的晶體管體系結構在推動摩爾定律預測的性能方面發(fā)揮了關鍵作用。英特爾研究人員認為這一發(fā)展的下一步：由多個自對準堆疊納米片構建的NMOS-on-PMOS晶體管。該架構采用垂直堆疊的雙源極/漏極外延工藝和雙金屬柵極制造工藝，能夠構建不同導電類型的納米片，以便可以對頂部和底部納米帶進行閾值電壓調(diào)整。該方案獲得了出色的電性（亞閾值擺幅<75 mV / dec）和DIBL（對于≥30nm的柵極，<30mV / V），并由于自對準堆疊而顯著減小了單元尺寸。他們成功采用該架構制作了具有良好平衡電壓傳輸特性的功能性CMOS反相器。
附圖：
圖1，晶體管從平面到3D堆疊CFET
圖2（a）GAA NMOS 堆疊在GAA PMOS上的3D示意圖（b）該工藝流程（c）是具有40nm柵極長度的該CFET的TEM圖像（d）3個Si納米片的GAA PMOS 上堆疊2個Si納米片的GAA NMOS的TEM圖像。
圖3（a）是垂直堆疊雙S / D EPI工藝的工藝流程（b）在底部三個納米片上選擇性生長的P-EPI（c）在頂部兩個納米帶上選擇性生長的N-EPI（d）TEM和EDS圖像顯示在堆疊的納米帶晶體管上選擇性生長的N-EPI和P-EPI。
圖4（a）是垂直堆疊雙金屬柵極工藝的工藝流程；（b）TEM圖像（c，d）N-WFM，P-WFM的EDS圖像。
Large-Area Active-Matrix Microfluidics Platform
操作過程演示動態(tài)圖
文章編號35.5 “Large-Area Manufacturable ActiveMatrix Digital MicrofluidicsPlatform for High-Throughput Biosample Handling,”H. Ma et al, Suzhou Institute/Acxell Tech/Hangzhou Linkzill Technology/Univ. Cambridge/ShanghaiJiao Tong Univ。
由中科院蘇州醫(yī)學工程技術研究所主導的基于電潤濕（Electrowetting）及多晶硅薄膜晶體管的生物樣品的可編程操作技術。電極陣列按順序在特定位置施加電壓信號，使得表面上的液滴跟隨電場而移動，合并，混合和/或分離。該團隊使用FPD有源矩陣技術制造了一個芯片，該芯片在10平方厘米的有源區(qū)域中包含一個32×32像素陣列（即電極陣列）。每個像素都可以單獨或同時尋址，并實現(xiàn)了在單像素水平上約1％的體積變化系數(shù)的液滴操作。
附圖：
圖1，有源矩陣電介質(zhì)上電潤濕（AM-EWOD）器件的圖像，版圖和像素示意圖。
圖2，五步單滴生成方法，其中包含F(xiàn)EA模擬和真實設備圖像。
圖3，數(shù)字墨滴在AM-EWOD設備上形成“ IEDM”。 同時在芯片上實現(xiàn)并行墨滴生成和大規(guī)模墨滴處理。
當然作為半導體制造業(yè)最重要的會議，今年的IEDM上各家公司也都帶來了他們對于邏輯微縮的新看法和技術，以下是重點環(huán)節(jié)預告，敬請期待。
