在第四代半導體中，銻化物半導體居于核心地位。銻化物半導體在開發小體積、輕重量、低功耗、低成本器件，及其要求極為苛刻的應用方面具有不可替代的獨特優勢。
銻化物半導體作為經典Ⅲ-Ⅴ族體系在本世紀初重新得到廣泛重視。從2009年起國外將銻化物半導體相關的材料和器件列為出口封鎖和壟斷技術。
從2005年開始，我國銻化物半導體研究進入快車道。中科院半導體研究所、上海技術物理研究所等研究機構率先突破了銻化鎵基砷化銦/銻化鎵超晶格焦平面技術，性能基本保持與國際同步的發展水平。如今，國內的銻化物超晶格探測器、量子阱激光器技術等正在步入產業化應用發展階段。
據悉，具有重大發展潛力成為第四代半導體技術的主要體系有：窄帶隙的銻化鎵、銦化砷化合物半導體；超寬帶隙的氧化物材料；其他各類低維材料如碳基納米材料、二維原子晶體材料等。
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