3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布，公司聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室。

采用自主開創的鑄造法，成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

6英寸導電型氧化鎵襯底

杭州鎵仁半導體，也成為國內首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術的產業化公司。

據介紹，氧化鎵因其優異的性能和低成本的制造，成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。

該材料主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件，在軌道交通、智能電網、新能源汽車、光伏發電、5G移動通信、國防軍工等領域，均具有廣闊應用前景。

6英寸非故意摻雜（上）與導電型（下）氧化鎵單晶

該公司表示，此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法，具有以下顯著優勢：

第一，鑄造法成本低，由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；

第二，鑄造法簡單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；

第三，鑄造法擁有完全自主知識產權，中國和美國專利已授權，為突破國外技術壟斷，實現國產化替代奠定堅實基礎。

目前而言，日本的NCT在氧化鎵襯底方面，仍占據著領先地位，但國內也總體呈現追趕態勢。