消息指出，臺積電2納米制程研發，現已離開尋找路徑階段，進入交付研發，且法人預期2023 年下半即可風險性試產。

　　臺積電去年就成立2納米專案研發團隊，在考慮成本、設備兼容、技術成熟及效能表現等多項條件下來尋找可行路徑，如今臺積電雖然仍沒有公布細節，但已表示將會是全新架構。而據供應鏈消息透露，臺積電2納米即將改采全新的GAA 基礎，使用多橋通道場效應晶體管（MBCFET）架構。

　　這是由于3納米已達FinFET 技術的瓶頸，會出現制程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題，就算有EUV 技術加持，但2納米勢必要轉換跑道。雖然三星提早在3納米就打算采用GAA ，意圖在此技術上彎道超車臺積電，但臺積電研發多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術，及EUV 運用經驗，將能使良率提升更順利。

　　所以不少業內人士預期，若2納米在2023年即能投產，三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前臺積電所公布的制程推進現況來看，采用EUV 的5納米良率已快速追上7納米，顯見臺積電在良率提升上的底蘊，甚至有業界預期風險試產良率即可到9成。三星雖提前量產3納米GAA，但在性能上未必能壓過臺積電，而GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯，且據傳2納米背后還有蘋果的研發能量支持。

　　不過未來半導體制程將會更加競爭，不僅是三星，英特爾的SuperFin 技術也不可小覷，雖然納米節點時程落后，但實際性能并不真的多差。早有輿論認為，臺積電及三星的制程競逐，很多只是數字游戲，而英特爾其實相對踏實，就實際晶體管密度等指標來看，新的英特爾10納米強化版已接近臺積電5納米，是非常大的單一節點升級。

　　只要英特爾也敢忍痛殺價，SuperFin 仍然很有高階制程市場的競爭力，就如同三星8納米已打出一片市場一般，臺積電雖然還占有優勢，但仍不能輕敵。目前臺積電已表示，未來2納米研發生產將落腳新竹寶山，將規劃建設4 個超大型晶圓廠，將成為下一輪半導體大戰主力。