盡管三星追的很緊，但臺積電今年上半年就要開始量產5nm工藝了，本年度內蘋果、華為的A14及麒麟1020芯片訂單已經在手了。

再下一個節點就是3nm工藝了，這個節點非常重要，因為摩爾定律一直在放緩，FinFET晶體管一度被認為只能延續到5nm節點，3nm要換全新技術方向。

在這方面，三星將轉向GAA環繞柵極晶體管，根據官方所說，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多橋－通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。

具體來說，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

由于之前在先進工藝上進度落后了，三星在3nm進行了一場豪賭，是第一個大規模上馬GAA技術的，目的就是希望通過激進的手段迅速扭轉晶圓代工市場上的地位，GAA成敗很關鍵。

相比之下，臺積電也在投資200億美元建設3nm晶圓廠，但一直沒有公布3nm的技術細節，其技術路線選擇將對未來先進芯片的代工產生重大影響。

根據最新的消息，臺積電可能沒有三星這么激進，在3nm節點也會跟之前的7nm工藝一樣采取兩步走的方式，第一代3nm工藝還會繼續改進FinFET晶體管工藝，在第二代3nm或者2nm節點才會升級到GAA晶體管技術。

這樣做一方面是出于技術研發的考慮，臺積電在GAA技術上落后三星12到18個月，另一方面則是要在進度上趕超，2021年3月份就準備試產，所以不能急著上GAA工藝，先用FinFET工藝頂上。

臺積電在4月份會有一次專門的發布會，屆時會正式公布3nm工藝的技術細節。

作者：憲瑞