Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
器件適用于24 V系統雙向開關，最佳RS-S(ON)典型值低至10 m，單位面積RS-S(ON)達業內最低水平
2019-12-11
來源：Vishay
賓夕法尼亞、MALVERN — 2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。
日前發布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60 V器件，比這一封裝尺寸排名第二的產品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。
從而降低電源通道壓降，減小功耗，提高效率。為提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面積乘積低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm較大封裝解決方案。
為節省PCB空間，減少元件數量并簡化設計，該器件采用優化封裝結構，兩個單片集成TrenchFET 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統雙封裝型器件相比進一步減小電阻率。這種設計使MOSFET適合用于24 V系統和工業應用雙向開關，包括工廠自動化、電動工具、無人機、電機驅動器、白色家電、機器人、安防/監視和煙霧報警器。
SiSF20DN進行了100 % Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
新型MOSFET現可提供樣品并已實現量產，大宗訂貨供貨周期為30周。
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