日前，來自阿姆斯特丹自由大學的學者發表了一篇名為ECCploit的研究論文，描述了一種可繞過ECC內存保護的Rowhammer攻擊（利用現代存儲卡硬件設計缺陷的一類漏洞）的新變種。
在默認情況下，存儲卡將臨時數據儲存在臨時存儲器元件中，以柵格的形式多行排列在物理硅片上。研究人員在2014年發現，通過反復讀取一行存儲數據可以創建一個電場來改變臨近行中的存儲數據，從而導致數據損壞或以惡意方式操縱數據。隨后幾年，研究人員擴展了Rowhammer攻擊的方式和開發場景，并表示硬件制造商不可忽視這個漏洞。
理論上，Rowhammer攻擊的方式和形式有很多種：
◇ 改變存儲在DDR3、DDR4以及類似的存儲卡上的數據
◇ 通過JavaScript、網絡（不一定要訪問PC）和本地惡意軟件進行攻擊
◇ 通過Microsoft Edge瀏覽器控制Windows計算機
◇ 攻擊并控制安裝在云托管環境中基于Linux的虛擬機
◇ 攻擊并獲取Android智能手機的root權限
◇ 當第一次攻擊被披露后Rowhammer會自動繞過已經到位的Rowhammer防衛
◇ 攻擊者可利用本地GPU提高攻擊效率
◇ 可通過網絡數據包發起攻擊
◇ 轉化為ION攻擊Android內存子系統，這打破了操作系統和本地應用之間的隔離，允許數據被盜和整個設備被控制
ECC（Error-Correcting Code）是一種能夠實現“錯誤檢查和糾正”的技術，是高端RAM采用的一種典型的控制機制，硬件制造商在過去聲稱ECC內存保護能檢測并防御Rowhammer攻擊。
ECC內存最初被用于防止由α粒子、中子和其他宇宙射線引發的比特翻轉，后來，研究證明ECC內存對防御Rowhammer攻擊也有效。但是，阿姆斯特丹自由大學的團隊經過數月對ECC內存的逆向工程設計，發現這種保護機制也存在局限性。
研究人員表示，ECC內存一次只能對監視的一個內存段中的一個比特翻轉進行檢測和糾正；當一內存段中同時發生兩個比特翻轉時，ECC內存會不堪重負，為了避免數據損壞或安全性受損而導致底層應用程序的崩潰；而當三個比特翻轉同時發生時，ECC內存雖然不會崩潰，但也不會做出任何反應，這樣，Rowhammer攻擊就能完全繞過ECC保護。
令人欣慰的是，目前似乎沒有必要過度擔憂，因為自2014年被曝光以來，Rowhammer攻擊一直都只存在于專業學者的理論推斷中。像Meltdown和Spectre的CPU漏洞那樣，Rowhammer攻擊只是理論上的攻擊，從未在自然環境下發生過，但這些都揭示了支撐現代技術的硬件的主要設計缺陷。
研究人員認為目前企業沒有必要因為Rowhammer攻擊而避免使用ECC內存，因為發動一次ECCploit攻擊需要32分鐘甚至一周的時間，這意味著它遠不如聽起來的那么危險，研究人員希望，對Rowhammer ECCploit攻擊的研究能給硬件供應商帶來關于硬件設計和銷售方面的啟發。