科技是人類一大進步的基石，自從第一次工業(yè)革命開始后，人類發(fā)展的速度突飛猛進。越來越多科技產(chǎn)品的出現(xiàn)便利了人們的生活，現(xiàn)如今人們離不開電子產(chǎn)品等時代的產(chǎn)物了。
時代在進步，科技也要繼續(xù)發(fā)展，而半導體作為今日大部分電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話等產(chǎn)品中的核心單元必不可少的材料，他的發(fā)展更是決定了科技發(fā)展的速度。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業(yè)應用上最具有影響力的一種。
直至今日，半導體已經(jīng)發(fā)展到第三代半導體的時代，第三代半導體材料憑借其性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用，使得歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導體技術列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。在大力發(fā)展第三代半導體的眾多企業(yè)之中，羅姆憑借其全面的技術，得到了世界的認可，本文將講述羅姆與其第三代半導體。
一、半導體的變化之路
半導體的發(fā)展實際上可以追溯到很久以前。從1833年，英國科學家電子之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)半導體現(xiàn)象至今，人們已經(jīng)推動半導體發(fā)展到了第三代。
第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺元素(Ge)半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和硅，在國際信息產(chǎn)業(yè)技術中的各類分立器件以及迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)中都得到了極為廣泛的應用，硅芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。
為了讓半導體在需要的時候具有盡量大的導電性，人們發(fā)明了摻雜（當然摻雜還有另外一個目的就是形成整流特性），這就形成了第二代半導體材料。主要包括：化合物半導體材料，如砷化鎵(GaAs);三元化合物半導體，如GaAsAl;還有一些固溶體半導體與非晶體半導體等。
第二代半導體材料主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，后期因信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，還被廣泛應用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領域。
所謂的第三代半導體，基本上屬于我國科技界的詞匯，主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(Eg>2.3eV)半導體材料。
我們常說的半導體材料代際進步，就在于不斷追逐更優(yōu)良絕緣體的高頻特性。以SiC等為代表的第三代半導體材料將被廣泛用于光電子等領域，而隨著“理想半導體”SiC生產(chǎn)成本的降低，SiC半導體正在憑借其優(yōu)良的性能逐步取代Si半導體，打破Si基由于材料本身性能所遇到的瓶頸。無疑，它將引發(fā)一場類似于蒸汽機一樣的產(chǎn)業(yè)革命。
第三代半導體由于禁帶寬度大，導電性極低而成為最優(yōu)良的絕緣體的代表，也成為了人們心中的理想半導體材料。
二、羅姆半導體的發(fā)展
2014年，美國占領下一代功率電子產(chǎn)業(yè)這個正出現(xiàn)的規(guī)模最大、發(fā)展最快的新興市場，同時創(chuàng)造出一大批高收入就業(yè)崗位。于此同時，日本也建立了“下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟”，由大阪大學牽頭，協(xié)同羅姆、三菱電機、松下電器等18家從事SiC等的知名企業(yè)和研究中心，共同開發(fā)適應SiC和GaN等下一代功率半導體特點的先進封裝技術。
1982年羅姆半導體成立了半導體研究中心，開始了數(shù)字晶體管的開發(fā)和銷售。一直以來羅姆憑借著被稱為“超常思維”的創(chuàng)新理念，再加上年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗得到了迅速的發(fā)展。羅姆的分立式半導體產(chǎn)品主要有：晶體管、二極管、sic功率器件，而旗下半導體應用產(chǎn)品主要有：加速度傳感器、陀螺儀傳感器等。
羅姆從2002年左右就開始進行碳化硅前期的研究，在碳化硅的歷程來說，經(jīng)驗非常豐富的，擁有18年的碳化硅研發(fā)的經(jīng)驗。
其次，有一條龍的生態(tài)體系，有完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)線，包括晶圓、原材料、封裝等都是羅姆一條龍來做的。
再次，羅姆擁有業(yè)界比較先進的Trench技術。最近普通硅基半導體已經(jīng)用Trench技術做了，碳化硅稍微晚一點，但是羅姆走在前面。
最后，ROHM的碳化硅的可靠性非常高。
從整體來看，羅姆的半導體發(fā)展有幾個重要的時間點，09年收購了一家碳化硅晶圓原材料廠家。2010年開始量產(chǎn)SiC-SBD和全球首個量產(chǎn)SiC-MOS，2012年全球首個量產(chǎn)全碳化硅功率模塊，2015年全球首個量產(chǎn)Trench構造的SiC-MOS。去年全球領先的6英寸的碳化硅晶圓也開始量產(chǎn)。
因此我們現(xiàn)在看到的是ROHM是從原材料晶圓加工到最后的封裝都是一條龍生產(chǎn)體系。
從現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來看，未來由半導體SiC材料制作成的功率器件將支撐起當今節(jié)能技術的發(fā)展趨向，成為節(jié)能設備最核心的部件，因此半導體SiC功率器件也被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。而羅姆也會加大發(fā)展力度，爭取在2022使得碳化硅得到廣泛的運用。