MOS管（MOSFET）的壓降

       是指MOSFET飽和導(dǎo)通的時(shí)候，VDS=I*RDS(on)的電壓。VDS表示場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極的電壓，G表示柵極，I表示流過(guò)DS的電流，RDS(on)表示導(dǎo)通電阻，一般為幾百毫歐。

       MOSFET的管壓降，一般指的是靜態(tài)壓降。只要知道導(dǎo)通阻抗和通過(guò)的電流的話用上面的公式就可以計(jì)算出來(lái)壓降是多少了。

三極管管壓降 

       三極管的管壓降Uce就是指集電極與發(fā)射極的電壓。一般情況下，CE極電壓在0.3或者0.3V以下時(shí)，三極管進(jìn)入飽和區(qū)的工作狀態(tài)，集電極電流不隨著基集電流增加而增加了，也叫飽和電壓。

       正常三極管管壓降為0.1-0.7V。 由于管壓降Uce與集電極電流ic具有非線性的函數(shù)關(guān)系，Uce的大小隨著Ice的增大，在一定的范圍內(nèi)增大。

通過(guò)Ic與Uce（飽和壓降）的曲線圖，就可以清晰的知道Uce的大小了。

對(duì)比應(yīng)用

       通過(guò)初步計(jì)算，在流過(guò)相同的電流（小于100MA）的情況下，場(chǎng)效應(yīng)管的管壓降要比三極管的管壓降略低。一般小于0.1V。隨著電流增大，三極管管壓降最大達(dá)到0.7V左右。

       下圖為三極管的管壓降示例圖，一般在DATASHEET中都有給出。

       對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），VDS取決于電流和導(dǎo)通電阻RDS(on)。導(dǎo)通電阻一般變化不大，但是與VGS有關(guān)，VGS大導(dǎo)通程度也大，導(dǎo)通電阻就小。

如果RDS(on)=250MΩ，流過(guò)電流為100MA，管壓降VDS=0.025V。圖一為0.05V，圖二為0.03V。

       因此，可以看出，在實(shí)際開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，如果要使被控的電壓的壓降盡量小，MOSFET比三極管有略微的優(yōu)勢(shì)。