2017年9月19日，“英特爾精尖制造日”活動在北京舉行。本次活動云集了英特爾制程、制造方面最權威的專家團，包括公司執行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith，高級院士、技術與制造事業部制程架構與集成總監Mark Bohr，公司技術與制造事業部副總裁、晶圓代工業務聯席總經理Zane Ball，并了主題演講。

楊旭致辭

英特爾公司全球副總裁兼中國區總裁楊旭登臺致辭，歡迎來自合作伙伴、客戶、政府部門和學術界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的“英特爾精尖制造日”活動。此次活動著眼于快速發展的中國技術生態系統，重申英特爾與中國半導體產業共成長的承諾。英特爾在過去32年里，打造了世界級的晶圓制造和封裝測試工廠，自2004年以來在華協議總投入達130億美元。

楊旭表示我們現在正處于一個數據的時代，以前是人上網，現在是物上網，兩者的不同是，后者每天所產生的數據量成幾何倍數增長。到2020年的時候，每天的數據量將達到44ZB！從數據量來講，中國是世界最大的數據產生國之一。英特爾CEO科再奇曾說，“數據是未來的石油”，數據創造價值的時代已經來臨。

Stacy Smith主題演講：摩爾定律并沒有消亡

英特爾公司執行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith表示，對英特爾來說，中國是非常重要的市場。在過去32年中，英特爾不斷學習，并對中國集成電路行業的發展作出貢獻，中國未來也依然是英特爾重要的合作伙伴。基于一代一路戰略，英特爾也提出了芯路概念。

Stacy Smith表示很高興首次在中國與大家分享英特爾制程工藝路線圖中的多項重要進展，展現了我們持續推動摩爾定律向前發展所獲得的豐碩成果。

Stacy Smith在演講中提到了摩爾定律，他說，摩爾定律其實反映的是一種經濟學原理，它正在改變我們每個人的生活。摩爾定律在其它領域同樣適用。

Stacy Smith認為摩爾定律不會失效，他說，英特爾遵循摩爾定律，持續向前推進制程工藝，每一個節點晶體管數量會增加一倍，14nm和10nm都做到了，并帶來更強的功能和性能、更高的能效，而且晶體管成本下降幅度前所未有。這表示摩爾定律依然有效。

Stacy Smith認為節點之間的時間延長是整個行業面臨的問題，那么摩爾定律在這種情況下能否帶來同樣的效益。答案依然是肯定的。英特爾的超微縮技術讓英特爾能夠加速推進密度的提升，借助節點內優化，產品功能每年都可實現增強。

超微縮技術帶來的好處是什么呢？Stacy Smith先生用圖進行詮釋。

超微縮技術的使用，英特爾的14nm制程工藝更加優秀。雖然同為14nm，英特爾的芯片密度更高，性能更強。其它的10nm制程工藝，僅相當于英特爾14nm工藝制程的芯片密度。

Stacy Smith認為英特爾在14nm制程工藝上保持著大約三年的領先性。

Stacy Smith還介紹了英特爾全球精尖制造布局。他說，擁有領先邏輯晶圓廠的公司數量已經越來越少，眾多公司已經被淘汰出局。目前在14－16nm節點只剩4家（英特爾、三星、臺積電、格芯），且僅有2家（英特爾、三星）有一體化的器件生產能力。

Stacy Smith還介紹了英特爾代工業務。他說，2016年全球晶圓代工收入為530億美元，其中高端技術（28／20／16／14nm）代工收入2016年達到230億美元。英特爾將致力22／14／10nm工藝節點的晶圓代工，發力高端市場。

Stacy Smith演講的最后首次展示了10nm晶圓。

Mark Bohr主題演講：制程工藝細節

英特爾高級院士、技術與制造事業部制程架構與集成總監Mark Bohr介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節，展現了英特爾的技術領先性。

Mark Bohr展示了英特爾的制程工藝時間圖。他說，英特爾是首家做到22nm FinFET的公司，比競爭友商至少領先三年。

Mark Bohr演示了他提出的晶體管密度計算公式 ，用以規范晶體管密度的通用衡量標準。

Mark Bohr說，14nm到10nm所花費的時間超過兩年，但密度提升非常可觀。晶體管密度每兩年提高約一倍，10nm每平方毫米晶體管數量超過1億個，而14nm每平方毫米晶體管數量只有不到4000萬個。

Mark Bohr說，微處理器晶片的微縮每一代系數約為0．62倍，10nm微縮系數約為0．43倍。提升密度、提高性能、降低能耗、降低成本，是英特爾致力的目標。

Mark Bohr說，英特爾目前投產、開發和前沿研究中的節點，從45－32－22－14－10－7－5－3nm。

Mark Bohr介紹了14nm超微縮相對于22nm超微縮的領先性，同時也介紹了10nm相對于14nm超微縮的技術差異。他說，22nm到14nm再到10nm，第三代FinFET晶體管有了極大的突破。10nm鰭片的高度較14nm提高25％，間距縮小25％，超強的微縮能力和全新特性將晶體管密度提升了2．7倍。

Mark Bohr還介紹了22FFL技術的相關信息。22FFL是在2017年3月美國“英特爾精尖制造日”活動上首次宣布的一種面向移動應用的超低功耗FinFET技術。英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能，實現超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。此外，22FFL晶圓在本次活動上全球首次公開亮相。2017年4季度生產就緒。

Mark Bohr說基于多年22nm／14nm的制造經驗，英特爾推出了稱為22FFL（FinFET低功耗）的全新工藝。該工藝提供結合高性能和超低功耗的晶體管，及簡化的互連與設計規則，能夠為低功耗及移動產品提供通用的FinFET設計平臺。與先前的22GP相比，全新22FFL技術的漏電量最多可減少100倍。22FFL工藝還可達到與英特爾14nm晶體管相同的驅動電流，同時實現比業界28nm／22nm平面技術更高的面積微縮。22FFL工藝包含一個完整的射頻（RF）套件，并結合多種先進的模擬和射頻器件來支持高度集成的產品。借由廣泛采用單一圖案成形及簡化的設計法則，使22FFL成為價格合理、易于使用可面向多種產品的設計平臺，與業界的28nm的平面工藝相比在成本上極具競爭力。

Mark Bohr最后介紹英特爾目前還在進行許多前沿項目的研究，包括納米線晶體管、III－V晶體管、3D堆疊、密集內存、密集互聯、EUV圖案成形、神經元計算以及自旋電子學等領域。

Zane Ball主題演講：代工

英特爾公司技術與制造事業部副總裁 英特爾晶圓代工業務聯席總經理Zane Ball先生的主題演講

Zane Ball認為，中國半導體消費全球占比達到58．5％，中國無晶圓廠全球行業占比25％，可見，中國半導體領域擁有巨大的機會。

英特爾晶圓代工重點關注兩大市場細分：網絡基礎設施、移動和互聯網設備。晶圓代工工藝節點包括22nm、14nm、10nm以及22FFL技術。

Zane Ball說，網絡基礎設備方面，英特爾在技術密度、高速數據傳輸、以及經濟的多芯片集成方面有明顯優勢。Zane Ball公布了采用10納米制程工藝和晶圓代工平臺的下一代FPGA計劃，研發代號為“Falcon Mesa”的FPGA產品將帶來全新水平的性能，以支持數據中心、企業級和網絡環境中日益增長的帶寬需求，“Falcon Mesa”擁有行業領先的性能和功耗。

Zane Ball說，在移動和互聯網設備方面，公司與ARM合作進展良好。在2016年8月于舊金山舉行的英特爾信息技術峰會（IDF）上，英特爾晶圓代工宣布與arm達成協議，雙方將加速基于英特爾10納米制程的arm系統芯片開發和應用。他認為移動產品需要領先的功耗和性能比；互聯網設備注重超低漏電、低成本。公司的22FFL就非常適合。

Zane Ball說，對于英特爾來說，現在是一個關鍵的節點，英特爾通過代工加深與中國伙伴的合作。

Zane Ball說，很高興把FinFET帶入中國來，英特爾在制程工藝方面的領先性可以助力中國企業共同進步。

沒有對比，就沒有傷害！