高通的新款中高端芯片驍龍660據說將引入14nm工藝了，預計將是三星的14nm FinFET工藝，這無疑是它在受到聯發科等的競爭下不得不采取的應對策略。

高通以其驍龍8XX系列占據高端市場，2015年由于自主架構研發跟不上，其采用了ARM的高性能公版核心A57開發高端芯片驍龍810，不過由于A57的功耗較大和臺積電的20nm能效不佳導致驍龍810出現發熱問題，2015年底其新開發的驍龍820回歸自主架構kryo。

高通并沒有放棄引入ARM的高性能公版核心，隨后采用ARM的高性能公版核心A72推出驍龍650和驍龍652，由于成本以及競爭考量這兩款芯片并沒有與驍龍820采用當時最先進的14/16nmFinFET工藝，而是采用了臺積電的28nm工藝，由于高通的品牌影響力以及其基帶和GPU性能的優勢，依然獲得了中國手機企業和三星的歡迎。

去年高通采用ARM的高性能公版核心A73推出新款中高端芯片驍龍653，雖然性能不錯，不過可惜的是它依然采用相對落后的臺積電28nm工藝，而讓人奇怪的是其定位要低一個檔次的驍龍625反而采用更先進的三星14nm FinFET工藝。

驍龍653為四核A73+四核A53架構，而驍龍625為八核A53架構，雖然A73核心在ARM的設計中已很好的平衡了性能和功耗，但是由于其功耗設計還是較A53為高，再加上更優秀的工藝，驍龍625以出色的功耗表現獲得中國手機企業的歡迎，畢竟對于手機企業來說續航顯然是更受它們重視的因素。

相比之下，競爭對手聯發科今年推出的芯片開始普遍引入10nm工藝，希望憑借工藝的優勢來與高通打差異化競爭，預計采用該工藝的新款芯片helio X30和P35在今年二季度、三季度大規模上市，在這樣的情況下高通再用落后的28nm工藝的中高端芯片驍龍653與聯發科競爭并不現實，引入先進工藝就成為必然。

正是在這樣的情況下，高通的新款芯片驍龍660應運而生，據說驍龍660與驍龍653一樣都是四核A73+四核A53架構，不過工藝是三星的14nm FinFET工藝，雖然在工藝方面沒法與helio X30所采用的10nm工藝相比，不過在GPU和基帶方面則與X30相當，而高端則用驍龍835壓制，憑借高通的品牌影響力驍龍660還是有競爭力的。

當然高通的這種策略也被網友吐糟，有點擠牙膏戰術的意思，在競爭對手的壓力下一點點提升性能，不過這也難怪，其也擔心驍龍660的性能太高的話會影響其高端芯片驍龍835的出貨。