7月7日消息，據臺媒《經濟日報》報道，晶圓代工大廠近期在晶圓代工市場積極進軍高壓制程技術平臺，并傳出將與英特爾在12nm制程上的合作延伸至6nm的同時，還傳出已拿下高通先進封裝大單的消息。

報道稱，聯電2024年斥資新臺幣156億元投入研發，專注開發5G通信、AI、物聯網及車用電子等領域所需的制程技術，并鉆研特殊制程，在12nm和14nm特殊制程及3D IC先進封裝研發也有進展。

目前聯電正積極推進高壓制程技術，包括14nm鰭式場效晶體管（FinFET）嵌入式高壓制程技術平臺（14eHV），并且取得了新進展。

聯電董事長洪嘉聰指出，12nm FinFET制程技術平臺（12FFC）相較于14nm技術（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用于各種半導體產品。與14FFC相比，12nm技術在優化的FinFET設備下，可實現10%的性能提升，通過降低電壓減少20%功耗，采用六走線軌道設計，使面積減少超過10%，并節省三層光罩，進一步增強聯電成本競爭力。

值得注意的是，近期市場傳聞指出，聯電正探索與英特爾之間的合作由原來的12nm延伸至6nm先進制程的可能，這也意味著聯電將進一步拓展先進制程市場，擺脫成熟制程市場競爭日益激烈，業績疲軟的困境。

此外，在先進封裝方面，傳聞聯電也成功拿到了高通的大單。因為聯電自行開發的高階中介層（Interposer）已經獲得高通驗證，邁入量產出貨倒數計時階段。業界也看好，聯電通過攜手高通等一線芯片大廠搶食AI/HPC（高性能計算）先進封裝市場商機。

早在2024年底，聯電就攜手高通展開HPC進封裝合作，鎖定AI PC、車用，以及AI服務器市場。

供應鏈透露，聯電第一批中介層1500電容已通過高通的電性測試，目前開始試產，預計2026年首季有機會量產出貨，高通并購置爐管機臺放在聯電廠房，凸顯雙方合作緊密。業界分析，此次聯電通過高通認證的產品采用1500nF/mm^2電容，主要搭配高通的IC和內存所需要的電容值。

消息稱，高通不僅已經向聯電下單，甚至購置爐管機臺放進聯電廠房，顯示合作深度高、信任感強。

業界人士指出，聯電布局先進封裝，先前在制程端僅供應中介層，應用在RFSOI制程，對營收貢獻有限。隨著高通采用聯電先進封裝制程打造高速運算芯片，近期雙方合作又進一步發展，對聯電來說將能降低在成熟制程的低價競爭，闖出一條不同之路。

先進封裝技術方面，例如2.5D和3D封裝這些封裝方式需要將多個芯片堆疊或并排放置，這時候中介層電容就顯得特別重要。

據悉，先進封裝最關鍵制程就是需要光刻機制造的中介層，加上需要超高精密程度的硅穿孔，讓2.5D或3D先進封裝堆疊的芯片信號可相互聯系，聯電具備生產中介層的機臺設備之外，十年前就已將TSV制程應用超威GPU芯片訂單上，等于聯電完全具備先進封裝制程量產技術的先決條件，是獲得高通青睞的主要原因。

對此傳聞，聯電不評論特定客戶，但強調先進封裝是該公司積極發展的重點，將攜手智原、硅統等轉投資事業，以及華邦等存儲伙伴，攜手打造先進封裝生態系。