近年來行動裝置推陳出新，帶動高階制程技術(shù)之需求大增，致2013年起臺灣的集成電路業(yè)產(chǎn)值連年創(chuàng)下歷史新高，2013、2014年各呈二位數(shù)成長，分別年增16．2％及23．9 ％。
惟2015年下半年至2016年上半年因全球經(jīng)濟(jì)疲弱，手持行動裝置銷售滯緩，致104年產(chǎn)值僅年增6．2％，2016年下半年因終端電子產(chǎn)品需求回升，加上物聯(lián)網(wǎng)、車用電子、智慧自動化等新興應(yīng)用發(fā)展，致2016年1至10月產(chǎn)值達(dá)1兆392億元，年增5．4％，預(yù)期2016年全年集成電路業(yè)產(chǎn)值將突破1兆2千億元，續(xù)創(chuàng)新高。
晶圓代工為集成電路業(yè)成長之主力
按產(chǎn)品觀察，晶圓代工產(chǎn)值占集成電路八成以上，由于先進(jìn)制程技術(shù)持續(xù)精進(jìn)，國際各大品牌行動裝置推陳出新，通訊晶片需求強勁，累計2016年1至10月產(chǎn)值達(dá)9，035億元（年增8．6％），為集成電路業(yè)成長之最主要貢獻(xiàn)來源；DRAM產(chǎn)值居次，因價格相對較104年為低而年減12．5％。
集成電路出口市場以中國大陸及香港居冠
臺灣的集成電路業(yè)直接外銷比率約八成，2016年1至11月集成電路出口總值達(dá)709億美元，較2015年同期成長11．1％，主要出口市場以中國大陸及香港（占54．8％）為首，年增22．5％最為顯著；新加坡（占14．1％）居次，年減6．5％，日本（占8．7％）及南韓（占8．5％）再次之。
臺灣業(yè)者為保持領(lǐng)先優(yōu)勢提高資本支出
為提升競爭優(yōu)勢，臺灣業(yè)者積極進(jìn)行研發(fā)及投資，尤以晶圓代工廠投入資本支出最為可觀。依據(jù)證交所公開資訊觀測站公布之2016年前3季資料顯示，臺積電資本支出2，155億元（年增24．6％），聯(lián)電697億元（年增47．7％），有助于推升集成電路業(yè)之生產(chǎn)能量。
晶圓代工市占穩(wěn)居全球第一
根據(jù)國際研調(diào)機構(gòu)顧能（Gartner）統(tǒng)計，2015年全球晶圓代工銷售市場為489億美元，其中臺積電市占率高達(dá)54．3％，較2014年增加0．5個百分點，穩(wěn)居全球晶圓代工市場之第一名寶座，聯(lián)電、力晶科技、世界先進(jìn)等亦名列全球晶圓代工前十大廠商，市占率合占67．2％，與2014年相近。
崛起的中國大陸半導(dǎo)體，臺灣半導(dǎo)體好日子快到頭了？
近年來，中國大陸大力投入半導(dǎo)體建設(shè)中，在年底1500億美元規(guī)模的存儲產(chǎn)業(yè)開工以后，似乎給臺灣產(chǎn)業(yè)帶來的威脅日益巨大。具體到各個方面則如下：
中國大陸的IC產(chǎn)業(yè)目標(biāo)
首先是設(shè)計產(chǎn)業(yè)；
大陸IC 設(shè)計廠商數(shù)量及規(guī)模皆快速成長，和臺灣差距不斷拉近，大陸海思2015 年的營收額已有約聯(lián)發(fā)科的一半，且已超過臺灣IC 設(shè)計二哥聯(lián)詠；而展訊與銳迪科正式合并后，同樣將超越聯(lián)詠的規(guī)模。大陸的IC設(shè)計業(yè)多是本土陸資，IC產(chǎn)品除傳統(tǒng)3C應(yīng)用外，政策更扶持諸如車電、醫(yī)電MCU、智慧卡IC等產(chǎn)品，未來在IoT政策帶動需求下，IC設(shè)計公司將如雨后春筍般出頭。
2016年中國大陸十大IC設(shè)計企業(yè)
近十年來大陸IC設(shè)計業(yè)者快速崛起，回顧2004年，全球前50大無晶圓廠半導(dǎo)體（Fabless）供應(yīng)商還沒有大陸業(yè)者，2015年已有近700家中國Fabless廠商。2015年前50大Fabless名單中，美國Qualcomm和Broadcom仍保持第一和第二，聯(lián)發(fā)科從第六提升至第三，值得關(guān)注的是出現(xiàn)7家大陸業(yè)者，且排名多屬上升，海思已竄至第七名。
其次，晶圓廠的迅速崛起，這也是對臺灣的一大威脅。
根據(jù)SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）的全球晶圓廠預(yù)測（World Fab Forecast）報告指出，2015年晶圓代工業(yè)整體產(chǎn)能已超越存儲，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中最大的部門，并且在未來幾年可望持續(xù)領(lǐng)先。預(yù)料晶圓代工產(chǎn)能每年將成長5％，超越業(yè)界整體表現(xiàn)，晶圓代工產(chǎn)能到2017年底預(yù)計將達(dá)到每月6百萬片（8吋約當(dāng)晶圓）。
臺灣的晶圓代工產(chǎn)能居全球之冠，其中12吋的產(chǎn)能占全球晶圓代工產(chǎn)能比重55％以上。臺積電與聯(lián)電是臺灣晶圓代工產(chǎn)能的兩大主要推手。臺積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準(zhǔn)備迎接10納米以下制程產(chǎn)能。聯(lián)電則持續(xù)擴充28納米產(chǎn)能，十二A廠第五期也準(zhǔn)備投入14納米制程。
另一方面，晶圓代工產(chǎn)能全球第二的中國則是成長最快的市場。2015年中國整體晶圓代工產(chǎn)能為每月95萬片，預(yù)計到了2017年底將增至每月120萬片，占全球晶圓代工產(chǎn)能將近20％。中國晶圓代工龍頭中芯國際（SMIC）目前正致力提升北京B1廠和上海八廠（兩者均為12吋廠）等既有廠房的產(chǎn)能。
同時該公司也正在提升新成立的北京B2廠（12吋）與深圳十五廠（8吋）產(chǎn)能。中芯的擴充計畫同時包含了先進(jìn)的28納米／40納米產(chǎn)能，以及技術(shù)成熟的8吋晶圓制程。其他擴大產(chǎn)能的業(yè)者還包括武漢新芯（XMC），旗下A廠產(chǎn)能將持續(xù)投入NOR快閃存儲代工業(yè)務(wù)；上海華力（Huali）也即將成立第二座晶圓廠，預(yù)計明年動工， 2018下半年起可望開始投注產(chǎn)能。
未來幾年，臺灣的晶圓代工業(yè)者也將對中國晶圓代工產(chǎn)能有所貢獻(xiàn)。今年稍晚聯(lián)電位于廈門的12X廠將開始投產(chǎn)，2017年有力晶合肥廠，臺積電南京廠則將在2018年上線。這三處廠房全面投產(chǎn)后，將帶來每月至少11萬片（12吋）晶圓的產(chǎn)能。
除了增加產(chǎn)能，先進(jìn)制程的技術(shù)競賽也特別激烈。臺積電、三星（Samsung）與格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）都想在10奈米以下技術(shù)節(jié)點取得領(lǐng)先地位。技術(shù)的演進(jìn)將帶動晶圓代工業(yè)者在未來幾年內(nèi)持續(xù)投資，其中又以臺灣與中國大陸為最。
存儲產(chǎn)業(yè)，大陸強勢崛起
中國大陸現(xiàn)在的三大存儲基地已經(jīng)開工，這可能對臺灣來說，也是一個不大不小的挑戰(zhàn)。
據(jù)臺灣媒體報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設(shè)立12吋廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作的合肥長鑫，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。
盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導(dǎo)權(quán)戲碼。
目前大陸DRAM勢力處于戰(zhàn)國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。
長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統(tǒng)籌3DNAND和DRAM兩大存儲器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進(jìn)行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3DNAND，但若對外購買技術(shù)則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專利保護(hù)傘。
長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專利授權(quán)，業(yè)界亦傳出正著手評估自建或購并現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設(shè)立12吋晶圓廠，長江存儲執(zhí)行長楊士寧則表示，將以購并現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。
近期武漢新芯12吋新廠已經(jīng)動起來，單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業(yè)界預(yù)期長江存儲兩大產(chǎn)品線的生產(chǎn)基地，最終仍會分開進(jìn)行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。
聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動工，預(yù)計2018年進(jìn)入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時進(jìn)行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預(yù)計2017年底完成技術(shù)開發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。
盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹(jǐn)慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開發(fā)面臨失敗風(fēng)險，遂同時研發(fā)30納米作為備案。
大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲器IC設(shè)計，然近期業(yè)界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時進(jìn)行DRAM研發(fā)和制造。
目前大陸這三股DRAM勢力持續(xù)進(jìn)行招兵買馬，并雙頭并進(jìn)朝向技術(shù)專利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導(dǎo)權(quán)還未底定之前先卡好位，預(yù)期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。
在此期間，大陸瘋狂挖角臺灣僅存的存儲產(chǎn)業(yè)人才，這對臺灣來說，是一個重大的打擊。現(xiàn)在臺灣業(yè)者和美光的合作，是否對大陸造成重大影響，這又是另一個話題了。
根據(jù)臺灣本地的半導(dǎo)體觀察家陸行之所說，目前看來，只要臺灣經(jīng)濟(jì)部投審會能在未來12個月內(nèi)，（1）有條件通過紫光25％參股力成和南茂案—或改由長江存儲申請參股或交換部分股權(quán)；或（2 ）有條件開放IC設(shè)計業(yè)讓長江存儲參／換股NAND flash控制器的群聯(lián)電子；或（3）批準(zhǔn)南亞科進(jìn)行技術(shù)合作來換取長江存儲的參股，這些臺灣存儲公司和員工，都還有機會參與中國存儲產(chǎn)業(yè)5％到50％自給率一條龍式的全新布局，并與韓國大廠爭奪市場。
如果這些都無法完成，未來五到十年，臺灣存儲產(chǎn)業(yè)應(yīng)會尋求機會與長江存儲設(shè)立合資企業(yè)，或?qū)で髾C會溢價賣給日本歐美大廠尋求下市。否則長江存儲必將大量從力成、南茂、群聯(lián)、南亞科高薪挖角以建立自己的供應(yīng)鏈，并打擊僅存的臺灣存儲相關(guān)廠商。
華亞科溢價賣出，力成、南茂同意紫光參股，群聯(lián)潘健成董事長最近不斷呼吁政府有條件開放中資投資IC設(shè)計和為求企業(yè)經(jīng)營彈性和生存而涉及子公司財報不實案，在在都顯示，奄奄一息的臺灣存儲產(chǎn)業(yè)極需要政府更有策略思維的解救。