65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。
四川美闊推出了一款1A2C65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管；采用PD3.0協議IC。
空載損耗低于50mW；控制IC可支持頻率高達160 kHz，峰值效率達到91.62%，方案尺寸為60*60*30mm，功率密度達到1.5W/cm3。
電路原理圖：
充電器主控芯片采用美闊的GaN氮化鎵功率芯片MGZ31N65。其內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路，250mΩ導阻，耐壓650V，支持2MHz開關頻率，采用8*8mm QFN封裝，節省面積。
具有良率高，驅動電路簡單，抗干擾能力強，封裝全面，動態電阻低等優勢，良率高，產能大，持續成本優化，競爭力不斷提升。
PCB布局圖：
其優勢：
1、返馳式谷底偵測減少開關損失
2、輕載Burst Mode增加效率
3、最佳效能可達91%；空載損耗低于50mW
4、控制IC可支持頻率高達160 kHz
5、系統頻率有Jitter降低EMI干擾
6、可輸出65W功率；控制IC可直接驅動GaN
◆進階保護功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時最大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護(4) 輸出短路保護
美闊65W 1A2C有線快充模塊為高功率密度設計，多接口輸出，小巧緊湊。模塊正反面均使用散熱片覆蓋，并纏繞膠帶固定。輸入線通過過孔焊接連接，便于在充電插排中應用，滿足各類手機和電源適配器、LED照明驅動器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插…供電需求。
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