英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團(tuán)隊最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。
利用在M-Plane 藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN (11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。
相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍(lán)位移隨著驅(qū)動電流增加而減少。在藍(lán)位移所觀察到的情況也適用在黃綠與黃光LED上，因此，研究人員發(fā)現(xiàn)所生長的LED存在一種有效抑制量子而限制星炫的效應(yīng)。
分別在5mA、20mA與100mA時拍攝的(a)綠(b)黃綠(C)黃(d)琥珀色LED電致發(fā)光圖
（來源：Applied Physics Letter）
研究人員在晶圓上測得光源輸出隨電流提升而呈線性增加，而其外部量子效率顯示較商用C-Plane LED的效率衰減(efficiency-droop)情況已明顯改善了。電致發(fā)光偏振測量顯示半極性LED的偏振比約為25%。
研究人員聲稱，初步的結(jié)果顯示，過度生長技術(shù)是一種更具有潛在成本效益的方法，可在較長波長區(qū)域中實(shí)現(xiàn)高效能的半極性GaN發(fā)射器。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。