作為全球最大的代工廠，臺積電這幾年并不是很順利，但每每展望未來總是一片光明：2016年第四季度量產10nm，2018投產7nm……那么再往后呢？就是5nm了。嗯，沒錯，越往后進步幅度就會越小，5nm之后還能不能繼續前進都是個大問題了。

       為了解決工藝提升中的各種復雜挑戰，半導體行業早就想出了各種各樣的高招，但因為成本太過于高昂，技術太過于復雜，一直都很難投入實用，比如說極紫外光刻(EUV)。

       根據規劃， 臺積電的10nm、7nm都會用上EUV極紫外技術，更遙遠的5nm也會如此，而且還會加入新的多重電子束技術(multipe e-beam)。

       不過，5nm還屬于長期規劃，需要解決的問題太多太多，何時投產尚無明確時間表，臺積電只是說會在2014-2019年間不斷研究5nm。

       業內人士預計，10nm之后的工藝至少5年以后才能實現，照這么預計及時7nm也得等到2020年，而按照臺積電這幾年的拖沓表現，還真不好說。

       Intel也在一直研究極紫外光刻和450毫米大晶圓，但多次推遲了投產進度。450毫米晶圓已經在試產，應該會在10nm上使用。極紫外說不定得等7nm。