全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)大幅降低其第四代650V和1200V IGBT損耗，降幅達(dá)30%。Fairchild采用工業(yè)和汽車市場(chǎng)中專為高/中速開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的新方案，提供了行業(yè)領(lǐng)先的性能水平，同時(shí)具有極強(qiáng)的閂鎖效應(yīng)，確保了優(yōu)異牢固性和可靠性。Fairchild將在2015 亞洲PCIM中演示各種應(yīng)用的測(cè)試結(jié)果和方案。

　　高級(jí)IHS分析師Victoria Fodale說(shuō)道：“制造商對(duì)于更先進(jìn)技術(shù)的IGBT非常感興趣，因?yàn)槟呐率荌GBT開(kāi)關(guān)損耗的微小下降也可幫助制造商提高產(chǎn)品效率。最大限度降低功率損耗必然是各種應(yīng)用領(lǐng)域達(dá)到最高效率的關(guān)鍵因素，包括電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能系統(tǒng)、高效HVAC應(yīng)用以及工業(yè)變頻器。”
　　Fairchild采用先進(jìn)的高密度孔距、自平衡晶胞結(jié)構(gòu)以及新的自對(duì)齊接觸技術(shù)，在整個(gè)工作溫度范圍-40? C至175o C之間達(dá)到超高電流密度和卓越的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能。新設(shè)計(jì)使第四代IGBT具備極低的飽和電壓(Vce(sat) = ~ 1.65V)和低開(kāi)關(guān)損耗(Eoff = 5μJ/A)的權(quán)衡特性，幫助客戶提高系統(tǒng)效率。Fairchild還與新一代產(chǎn)品一同提供了功能強(qiáng)大的設(shè)計(jì)和仿真基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)套件，并針對(duì)所有低/高電壓功率器件進(jìn)行了校準(zhǔn)。
　　Fairchild的Thomas Neyer說(shuō)：“Fairchild的新方案包括通過(guò)超細(xì)單元柵距設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的超高電子注入效率以及受新緩沖器結(jié)構(gòu)限制的空穴載流子的注入。這些優(yōu)勢(shì)顯著提高性能，我們的IGBT讓Fairchild 能夠?yàn)橹圃焐烫峁┬碌母咝Т蠊β士刂平鉀Q方案。”
　　在6月25日周四12:30至14:00于上海世博展覽館的Floyer房間和會(huì)議中心，我們將在海報(bào)演示環(huán)節(jié)中介紹兩個(gè)關(guān)于IGBT的論文。
　　-《具有高性能和加強(qiáng)免閉鎖功能的第四代場(chǎng)截止IGBT》(演講人：Kevin Lee)
　　-《在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)的低電流關(guān)斷瞬間，關(guān)于場(chǎng)截止IGBT (FS IGBT) VCE斜率的研究》 (演講人：Rafael Lim)
　　Fairchild FS4 IGBT的產(chǎn)品系列詳情，將于2015年第四季度發(fā)布。更多內(nèi)容，包括詳細(xì)介紹Fairchild FS4 IGBT技術(shù)的白皮書(shū)，可在Fairchild的 IGBT產(chǎn)品信息頁(yè)面找到。
　　關(guān)于Fairchild：
　　Fairchild一直是半導(dǎo)體行業(yè)的先驅(qū)者，秉承開(kāi)拓精神至今，致力于讓世界變得更潔凈、更美好。我們專注于開(kāi)發(fā)制造從低功率到高功率解決方案的完整產(chǎn)品組合，為移動(dòng)、工業(yè)、云、汽車、照明和計(jì)算行業(yè)的系統(tǒng)構(gòu)建工程師和系統(tǒng)架構(gòu)師提供最佳的設(shè)計(jì)體驗(yàn)。我們基于的是這一指導(dǎo)原則：敬業(yè)的員工和滿意的客戶是公司發(fā)展密不可分的一部分，同時(shí)鼓勵(lì)員工追求簡(jiǎn)潔和挑戰(zhàn)、探索和娛樂(lè)、卓越和尊重，并擁有果斷的執(zhí)行力和直面問(wèn)題的勇氣。如果您正使用智能手機(jī)或者駕駛汽車，使用現(xiàn)代化的家用電器或者在舒適的建筑中工作和生活，甚至觀看電影動(dòng)畫(huà)，那么您就感受到了Fairchild的力量-“Power to Amaze”。歡迎通過(guò)網(wǎng)站www.fairchildsemi.com.cn聯(lián)系我們。
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