更佳的效率、EMI和堅固性使SuperFET III MOSFET成為具有嚴苛堅固性和可靠性要求的高性能產品的理想之選

　　加利福尼亞桑尼維爾 – 2016 年 9月 21日 — Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET? III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產品的更高功率密度、系統效率和優越的可靠性要求。

　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。

　　Fairchild高功率工業事業部副總裁兼總經理趙進表示：「無論我們的客戶身處何種行業，他們都始終追求大幅提高其每一代新產品的效率、性能和可靠性，同時努力加快新產品上市的步伐。在設計新型SuperFET III MOSFET以幫助客戶實現其關鍵產品目標的同時，我們還確保這些器件能夠降低BOM成本、減小電路板空間并簡化產品設計。」

　　SuperFET III技術具有所有便捷驅動型超結 MOSFET的最低Rdson，因此具有一流效率。這要歸功于先進的電荷平衡技術，與其前代SuperFET II產品相比，在同樣的封裝尺寸內，該技術將Rdson降低了44%。

　　實現SuperFET III系列優異堅固性和可靠性的關鍵因素是其一流的體二極管以及比最接近的競爭產品高兩倍的單脈沖雪崩能量(EAS)性能。

　　650V SuperFET III系列在關閉期間的峰值漏極-源極電壓更低，改善了系統在低溫運行條件下的可靠性，因為與室溫下相比，-25℃結溫時擊穿電壓自然降低了5%，而且低溫下的峰值漏極-源極電壓變得更高。

　　這些可靠性優勢對于各種工業應用特別重要，例如光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和EV充電器，因為它們必須能夠承受更高或者更低的環境溫度。SuperFET III MOSFET系列于今日發布上市，具有多種封裝和參數選擇：