聯電有意推動28納米制程在廈門廠生產。李建梁攝晶圓代工廠聯電看好大陸對于28納米制程需求將大爆發，積極為廈門12吋廠28納米制程投產解套，礙于半導體西進N-1世代技術法令限制，近期聯電與IC設計業者展開18納米制程合作，全面為廈門12吋廠挺進28納米制程鋪路。不過，相關消息仍待聯電對外宣布。

　　全球半導體先進技術進入16/14納米FinFET制程競賽，然28納米制程仍扮演重要角色，由于大陸移動通訊產品需求旺盛，業者預期28納米制程至少會再熱絡3年，聯電看準這一波商機，全力為廈門12吋廠生產28納米制程解套。

　　聯電廈門12吋廠已動土興建，并申請55和40納米制程西進，由于40與28納米PolySiON制程多數機臺設備都相通，聯電希望28納米制程能在廈門廠合法生產。根據既有半導體廠西進設立12吋廠法令規范，必須是N-1世代技術，因為聯電并沒有20納米制程技術，聯電若要在廈門廠生產28納米制程，必須在臺灣量產14納米制程。

　　半導體業者透露，14納米FinFET制程難度非常高，即便是臺積電和三星電子(Samsung Electronics)在16/14納米制程亦耗費非常久的時間，2015年才陸續進入量產，聯電14納米制程雖號稱2015年中進入試產，預計2016年量產，但內部評估需要更長時間，如此恐延誤廈門12吋廠生產28納米時程，聯電內部遂決定另辟戰場，研發18納米制程為廈門廠解套。

　　由于不少IC設計業者認為采用14納米制程生產太貴，有意與聯電共同打造一個效能、耗電都優于28納米，但成本低于14納米的制程世代，聯電遂決定投入18納米制程，初期僅規劃1萬片產能。

　　半導體業者認為，聯電28納米制程系延續臺積電T-Like設計，采用Gate-Last制程，其他如GlobalFoundries等都是采用Gate-First制程，很難說服臺積電現有的28納米制程客戶轉單，聯電想要借由28納米制程在大陸搶市占是可行的策略。

　　業界傳出聯電18納米制程采用FinFET設計，技術難度也相當高，聯電好不容易量產28納米，并投入14納米制程，若要再發展18納米制程，恐分散內部研發資源。