隨著許多標準架構(PCI、ATCA)，電信及服務器機柜的尺寸越來越小，功率密度會越來越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來越多，從而導致其電流不斷增加。所以，客戶需要具有更小體積和更高電流的ticle/index.aspx?id=22631">DC/DC電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用創新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足客戶需求。
TI中國區電源產品業務拓展工程師吳濤向記者介紹：“NexFET MOSFET技術本身就具有高密度結構、低門極電荷、低導通電阻等優點，比溝槽技術的充電電荷降低了一半左右。全新的DualCool NexFET功率MOSFET是TI面向高電流DC/DC應用推出的業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。相對其他標準尺寸封裝的產品，該產品系列具有高效的雙面散熱技術，將允許通過FET的電流提高了50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器。”
DualCool NexFET功率MOSFET使得功率轉換產生的熱量能通過對流冷卻從頂端散出，不但提高了功率密度、電流承受能力，同時增強了系統穩定性。圖1為DualCool NexFET和標準的QFN封裝截面視圖。由圖1可以看出，與傳統的MOSFET相比，DualCool上面有一塊金屬表層，其具有減少上表面熱阻的功能。也就是說，DualCool NexFET功率MOSFET上表面產生的熱量既可以通過下表面傳到板上去，也可以通過上表面源極的金屬片傳遞到熱阻很小的額外的這塊金屬片上，再通過接觸傳遞到Heat Sink上去。通過系統級仿真證明，這種增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從10~15 ℃/W降至1.2 ℃/W，從而將該封裝所能承受的功耗提升80%。
DualCool NexFET功率MOSFET采用業界標準5 mm×6 mm SON封裝，可簡化設計、降低成本，與使用2個標準5×6封裝相比，可節省 30 mm2的空間。此外，作為單相35 A同步降壓轉換器的MOSFET，它采用1個MOSFET即可滿足高電流DC/DC應用中的高、低側2種開關需求。該系列包含的5款NexFET器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。這些采用高級封裝的MOSFET可廣泛用于各種終端，如臺式個人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業系統等。
DualCool NexFET功率MOSFET是TI自2009年2月收購高頻率高效率電源管理半導體設計商CICLON半導體器件公司以來推出的第一款全新的功率MOSFET產品，進一步壯大了TI現有的電源管理產品系列，也標志著TI能夠為客戶提供可支持高效電源設計的完整解決方案。