日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。
CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率，同時在計算機服務器和電信應用中確保安全的運作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大導通電阻，而30-V CSD17570Q5B 則實現了0.69 mΩ 的最大導通電阻。請下載閱讀一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A熱插拔參考設計，來進一步進行了解。
TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與面向DC/DC控制器應用的LM27403配合使用，從而構成一套完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與諸如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。閱讀 《穩健可靠的熱插拔設計》，可進一步了解如何將一個晶體管選用為傳輸元件，以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。
如下是TI 推出具有業界最低導通電阻的NexFET™ N溝道功率MOSFE。
新型 NexFET 產品及主要特點
|
器件型號 |
應用 |
Vds/Vgs |
封裝 (mm) |
導通電阻最大值 (m?) |
Qg (4.5) (nC) |
|
|
4.5V |
10V |
|||||
|
CSD16570Q5B |
ORing / 熱插拔 |
25/20 |
QFN 5x6 (Q5B) |
0.82 |
0.59 |
95 |
|
CSD17570Q5B |
30/20 |
0.92 |
0.69 |
93 |
||
|
CSD17573Q5B |
低端降壓 / ORing / 熱插拔 |
30/20 |
QFN 5x6 (Q5B) |
1.45 |
1.0 |
49 |
|
CSD17575Q3 |
低端降壓 |
30/20 |
QFN 3.3x3.3 (Q3) |
3.2 |
2.3 |
23 |
|
CSD17576Q5B |
QFN 5x6 (Q5B) |
2.9 |
2.0 |
25 |
||
|
CSD17577Q5A |
高端降壓 |
30/20 |
QFN 5x6 (Q5A) |
5.8 |
4.2 |
13 |
|
CSD17577Q3A |
QFN 3.3x3.3 (Q3A) |
6.4 |
4.8 |
13 |
||
|
CSD17578Q3A |
9.4 |
7.3 |
7.9 |
|||
|
CSD17579Q3A |
14.2 |
10.2 |
5.3 |
|||
|
CSD85301Q2 |
雙路獨立 FET |
20/10 |
QFN 2x2 (Q2) |
27 |
不適用 |
4.2 |
|
CSD13383F4 |
負載開關 |
12/10 |
FemtoFET 0.6x1.0 (0402) |
44 |
不適用 |
2.0 |
供貨情況、封裝和價格
目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產品可通過 TI 及其授權分銷商批量采購。
關于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET
TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率計算、網絡、工業和電源應用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率 MOSFET 使得系統設計人員能夠運用現有的最先進的DC/DC電源轉換解決方案。
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