全球半導體業邁入“后摩爾時代”與“后PC時代”的“兩后時代”，呈現顯著“新常態”特征。
自上世紀40年代第一顆晶體管誕生以來，半導體產業在全球已走過近70年的發展歷程。隨著硅基半導體技術日趨成熟并不斷逼近物理極限，多年來始 終遵循“摩爾定律”快速發展的半導體產業，其發展步伐正在放緩。與此同時，在應用市場，多年來推動全球半導體市場增長的PC及消費類電子產品需求，正在移 動智能終端的沖擊下疲態盡露，而PC與智能終端的此消彼長，對半導體市場而言其“洗牌”作用更多于推動作用。隨著全球半導體產業同時邁入“后摩爾時代”與 “后PC時代”這一“兩后時代”，全球半導體產業開始呈現出顯著的“新常態”特征，這主要表現在如下三個方面：
一是產業規模由快速增長并伴隨大幅波動，轉為低速平穩增長
縱觀全球半導體產業發展史，“高成長”與“硅周期”一直是描述產業特征的關鍵詞，也即全球半導體產業發展可以用增長速度快、周期性波動大來加以概括。但通過對過去20余年全球半導體產業規模數據變化分析我們發現，隨著“兩后時代”的到來，這兩大特征正不斷變得弱化。
1991至2000年是全球半導體產業高速增長的黃金10年。這10年間，產業年均增速高達15%，產業規模由1991年的546.07億美 元，快速增長至2000年的2043.94億美元，產業規模擴大了近4倍。而2001至2010年則是全球半導體產業大起大落，劇烈調整的10年。這期間 既出現過2003年、2004年，以及2010年產業增速高達18.3%、28%乃至31.8%的好年景，也出現過因2001年互聯網泡沫破裂，2008 年國際金融危機導致產業大幅下跌-32%、-9%這樣的壞年景。整體來看，這10年全球半導體產業年均增速僅為3.9%。
2011年以來，全球半導體產業發展漸趨平緩，且增速進一步放慢。2011至2014年4年間，產業規模微增至3331.51億美元，年均增速 只有2.8%。根據WSTS的預測，2015年全球半導體產業增速預計為3.4%，若如此，則2011年至2015年5年間產業年均增速僅為2.9%。預 計2016年至2020年，全球半導體產業的年均增速將徘徊在3%左右。可以看出，全球半導體產業已經步入低速平穩發展期。
二是產業結構調整加速，IC設計業與晶圓代工業異軍突起
全球半導體產業在整體增長趨緩的同時，其產業結構調整速度卻在加快，IC設計業與晶圓代工業呈現異軍突起之勢。自2001年以來，全球IC設計 業保持了年均近20%的增長速度，增速幾近10倍于產業整體增速，其在半導體產業中的地位也隨之快速躥升。2001年時，全球前20大半導體企業中尚無一 家IC設計企業入圍，而到2014年，IC設計企業已經占據全球TOP20半導體企業中的6席。其中，高通自2001年至今保持了年均22.3%的超高速 增長，其銷售額規模在這13年間由2001年的13.9億美元擴大了13倍，增加至2014年的191億美元，高通也隨之迅速成為全球第四大半導體企業。
IC設計業的快速發展帶動了晶圓代工業的同步發展，以臺積電為例，其銷售收入由2001年的39.8億美元迅速擴大到2014年的250.88 億美元，10余年間保持了年均15.2%的高速增長。臺積電在全球半導體企業中的排名也由第10位提升至僅次于Intel和三星的第三位。此外，全球第二 大晶圓代工企業——臺聯電也同樣表現不俗，其銷售額由2011年時的19.45億美元快速增長到2014年的43億美元，并已進入全球TOP20半導體企 業的行列。
三是產業整合進程加快，寡頭壟斷特征日益顯著
增速趨緩與波動減小意味著全球半導體產業已步入成熟期。在這一大背景下，半導體企業間的整合重組正日益頻繁。2003年，三菱和日立兩家公司的 半導體部門合并成立瑞薩，當時排名全球第三;2006年，AMD斥資54億美元收購ATI，刷新了當時半導體業界收購金額的記錄。同時，飛利浦半導體部門 正式獨立成為NXP公司，奇夢達自英飛凌分拆而出成為獨立公司;2009年，NEC與瑞薩合并成立新瑞薩，當時全球排名仍為第三，該年AMD出售晶圓生產 線轉型為IC設計企業，世界第三的晶圓代工企業Global Foundries也同期成立;2013年，美光收購爾必達一舉成為全球第二大存儲器廠商，該年Avago斥資66億美元收購LSI，再次刷新半導體業界 收購金額記錄，此外，MTK與Mstar正式實現合并，從而成為占據全球數字電視芯片80%以上市場份額的絕對壟斷者。
企業間的大規模整合促使全球半導體產業正由自由競爭逐步走向寡頭壟斷。2001年，全球前20大半導體企業銷售額占整體產業銷售的比重為 72.4%，到2014年已提升至75.3%，2001年至2014年，全球第一名與第二十名半導體企業銷售額之間的差距也由10.7倍擴大至12.1 倍。“馬太效應”在全球半導體業界中已開始不斷凸顯。
在半導體業界整合不斷推進的同時，半導體企業股東的變化也在不斷進行。一方面，諸多股東選擇退出成長性不足的半導體業務，如摩托羅拉出售了持有 的全部飛思卡爾股份，西門子出售了在英飛凌中的全部股份，飛利浦先后出售全部持有的NXP及臺積電股份、新加坡淡馬錫正計劃出售星科金朋全部股份等等。另 一方面，部分企業則出于完善產業鏈布局的考慮，大舉進入半導體業務，如韓國SK斥巨資收購海力士21%股份并成為最大股東。預計未來全球半導體業界的“調 倉換股”運動仍將不斷上演。
中國集成電路產業正步入“加速期”
中國IC產業近10余年來的發展可用“進展神速”形容，規模擴張、結構調整都取得了顯著成績。
與全球半導體產業大起大落，步履趨緩不同，中國集成電路產業近10余年來的發展可以用“進展神速”加以形容，無論是產業規模擴張還是產業結構調 整都取得了顯著成績。展望未來，2014年發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》規劃了更為恢弘的發展目標，并要求中國集成電路產業在如下幾個方面加速 發展，并實現跨越。
一是產業規模迅速擴大，未來規劃還將加速發展
中國集成電路產業起步于1965年，經過許多年發展，雖然取得了諸多成績，但無論是產業規模還是技術能力與國際強國都存在較大差距。截至“九 五”末，國內集成電路產業規模為186.2億元，僅占全球半導體產業的1%。2000年以來，在國發18號文件的鼓勵下，國內集成電路產業發展開始步入快 車道。“十五”期間，國內集成電路產業年均增速達到30.4%，產業規模到2005年已擴大至702.1億元，在全球半導體產業中所占比重提升至 3.8%。“十一五”期間，受國際金融危機影響，產業發展有所放緩，5年間產業規模年均增速回落至15.5%。2010年產業規模為1440.2億元，在 全球半導體產業中所占比重提升至7.2%。
2011年以來，在國發4號文件的激勵下，國內集成電路產業發展再次提速。預計至2015年產業規模將達到3500億元，“十二五”產業年均增 速也將達到19.4%。根據《推進綱要》提出的目標，“到2020年，集成電路產業與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業銷售收入年均增速超過20%”。 依此目標，則到2020年國內集成電路產業規模將達到9000億元，在當時全球半導體產業中所占比重將達到1/3強。屆時中國將成為全球最大的集成電路制 造國。
二是三業格局不斷優化，但芯片制造業發展還有待提速
隨著國內集成電路產業的發展，IC設計、芯片制造和封裝測試三業格局也在不斷優化。就三業發展速度來看，“十五”、“十一五”以及“十二五”期 間，IC設計業發展速度始終保持領先，其在國內集成電路產業中的龍頭地位日益凸顯。封裝測試業增長平穩，且隨著國內封測企業大規模開展跨國收購兼并，封裝 測試業也呈現出加速發展的勢頭。而對于國內芯片制造業發展，由于項目投資金額大、制程技術進步快、企業國際化競爭程度高，導致“十一五”以來除海力士(無 錫)、INTEL(大連)、三星半導體(西安)等外資項目外，本土芯片制造企業投資寥寥無幾，這也導致了近10年來國內芯片制造業增速相對較低。
從三業格局的變化來看，2001年時，封裝測試業占據國內集成電路產業近80%的份額，而預計到2015年，IC設計、芯片制造及封裝測試三業的比例將調整為35%、27%、38%。國內集成電路產業三業并舉，同步發展的格局已初步確立。
三是企業實力不斷增強，但本土企業仍需做大做強
伴隨著產業的快速發展，國內集成電路企業實力也在不斷增強。2001年國內最大集成電路企業銷售額尚不足30億元，而到2013年時已增長至 130億元，國內前十大集成電路企業的進入門檻也由2001年時的4.5億元提升至2013年的41.7億元。海思半導體、中芯國際、新潮科技等龍頭企業 已經分別進入IC設計、芯片制造以及封裝測試的國際第一梯隊。
當然我們也應該看到，2013年國內10大集成電路企業中，外資企業占據了一半席位。本土集成電路企業無論是在規模上或技術水平上，都還與國際領先企業仍存在較大差距。本土企業做大做強仍任重而道遠。
“新常態”下中國集成電路產業實現跨越發展策略建議
IC產業下一步發展需要突破定勢思維，走出路徑依賴，走出“以正合、以奇勝”的創新發展道路。
在全球半導體產業步入“新常態”的外部環境下，中國集成電路產業要實現跨越發展，并完成《推進綱要》所規劃的宏偉目標，難度無疑是巨大的。面對 這樣的形勢，集成電路產業下一步發展需要突破定勢思維，走出路徑依賴，走出一條“以正合、以奇勝”的創新發展道路。具體來說，國內集成電路產業應結合新時 期國際產業特點與自身發展現狀，規劃新思路、實施新舉措，在發展模式、創新策略以及扶持舉措等方面，實現如下三大轉變。
一是發展模式由“引進來”向“走出去”轉變
自改革開放以來，中國集成電路產業采取了“合作引進”的發展模式。合作方面，貝嶺與貝爾，先進與飛利浦、華晶與上華，華虹與NEC等之間的合 作，以及引進國際團隊成立中芯國際、宏力、和艦科技等均是如此。引進方面，國內先后引進了Intel、海力士、三星、飛思卡爾、瑞薩、美光、意法半導體等 諸多跨國企業來華投資設廠。目前國內集成電路產業總銷售額中，有一半為外資企業所貢獻。對于這一發展模式，有學者甚至概括為“不求所有，但求所在”。
通過幾十年的合作引進，目前國內已經形成了相對完備的產業體系，培育了若干骨干企業、匯聚了一批國際化人才。隨著國家明確提出“建立自主可控集 成電路產業體系”的發展戰略，國內集成電路產業發展模式也應隨之由“引進來”轉變為“走出去”，即背靠龐大內需市場，依托本土骨干企業，抓住行業整合契 機，變“不求所有，但求所在”為“不求所在，但求所有”，在全球范圍整合優質資產，配置產業資源，變被動引進為主動吸納，從而掌握發展主動權，增強產業話 語權。
二是創新策略由“直道追趕”向“彎道超越”轉變
在技術發展上，國內集成電路產業幾十年來始終沿著摩爾定律的軌跡，一個節點接一個節點苦苦追趕著國際主流。但受研發投入不足，國際技術封鎖等因 素制約，國內集成電路技術與國際先進水平之間的差距始終未能顯著縮小。以芯片制程工藝為例，目前國內最高水平為45納米，而國際領先水平已經達到 14/16納米，國內外相差了3個世代節點。
隨著“雙后時代”的到來，目前全球半導體技術發展正處于“彎道變革”的重要時點。一方面，隨著基于硅的制程工藝日漸逼近所謂“紅墻”(物理極 限)，基于砷化鎵(GaAs)，以及碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的第二、三代半導體技術正蓬勃興起;另一方面，“More Than Moore”(超越摩爾)正不斷深入，新型封裝、片上系統、嵌入式應用、傳感器技術等新興技術層出不窮，且在移動互聯網、云計算、物聯網等應用市場大規模 啟動的帶動下呈現蓬勃發展的勢頭。正所謂“大路朝天、各走一邊”，中國集成電路產業若要在技術發展上實現趕超乃至跨越，只有抓住當前半導體領域正在經歷 “顛覆性創新”的歷史性機遇，把握趨勢、前瞻布局、另辟蹊徑、創新引領，搶占微電子技術發展新的制高點。
三是扶持舉措由“政策推動”向“市場牽引”轉變
過去10余年來，以國發18號文件、新4號文件為代表的國家鼓勵政策對國內集成電路產業的快速發展起到了至關重要的推動作用。但隨著國內集成電 路產業體量日益增大，企業日趨成熟，政策優惠與財政補貼對于產業進一步發展的推動作用正不斷減小。反之，如何消化新增產能，如何實現企業持續贏利與股東回 報，已經成為當前國內集成電路企業所要考慮的首要課題。
故此，國內集成電路產業下一步發展，應充分發揮市場牽引的決定性作用。一方面，應進一步加強政府對于市場的規范與引導作用，參考2009年美國 提出的“Buy American”戰略，在涉及國防軍工、信息安全，以及金融、電信、能源、交通等國民經濟基礎設施領域，制定明確的“Buy Chinese Chip”導向性意見;另一方面，對于移動互聯網、云計算、大數據、物聯網等新興市場領域，加快政府性示范工程建設，同時在示范工程中配套應用國產芯片并 加以大力推廣，為“中國芯”圓“中國夢”創造有利條件。