摩爾定律(Moore"sLaw)極限浮現與18吋晶圓世代來臨，將是半導體產業兩項大革命，全球半導體廠都在思索未來趨勢，臺積電技術長孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3DIC技術相輔相成，朝省電、體積小等特性鉆研，將會柳暗花明又一村，未來10年內持續微縮至7奈米、甚至是5nm都不成問題。

晶圓尺寸持續從4吋、5吋、6吋、8吋一直擴展至12吋晶圓世代，原本2011年開始準備迎接18吋晶圓世代來臨，但直至現在18吋晶圓技術和機臺設備仍在研發階段。孫元成表示，2009年全球金融海嘯來襲，導致全球轉進18吋晶圓世代時間點又晚2年，然除晶圓尺寸外，外界認為摩爾定律已達極限說法，其實未必適用。

孫元成表示，只要加入一些創新元素，如3DIC技術配合，摩爾定律可一直走下去，在未來10年內半導體技術持續微縮至7nm、5nm都是可行的，因為摩爾定律理念或3DIC技術有互補功效，都是把系統產品作小、成本作低，且降低耗電量，非常符合現在整個半導體硅晶圓產業聚焦行動通訊應用趨勢。

臺積電已與英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等半導體大廠共同成立Global450Consortium計劃!，在美國紐約州Albany研發18吋晶圓技術。半導體業者認為，若摩爾定律在10奈米制程以下浮現無法克服的極限，對于半導體大廠將非常不利，等于技術走到瓶頸，等著所有后進者蜂擁而至追趕，因此，這些大廠一定要轉進18吋晶圓，用技術和資金筑起厚實的競爭圍墻。

不過，臺積電指出，現在來講摩爾定律是否到極限其實還太早，因為可加入許多創新技術，來輔助摩爾定律持續走下去。比利時微電子(IMEC)營運長LucVanDenHove亦指出，半導體技術在90~65nm制程是采用StrainedSi技術，在45~28奈米階段是用High-K金屬閘極技術(HKMG)，而22nm以下一直到14nm制程，則會轉至3D晶片FinFET技術。

至于在10nm制程以下技術，臺積電則表示，現在來看是要采用極紫外光微影制程(EUV)，或是多電子光束無光罩微影技術。