本篇文章即是要探討聲頻系統(tǒng)在手機(jī)與PDA 之應(yīng)用與設(shè)計，讓系統(tǒng)與研發(fā)人員設(shè)計出適合消費(fèi)者的產(chǎn)品。
無線可攜式電子產(chǎn)品應(yīng)用之考慮因素
以下列出在選擇聲頻功率放大器時必須考慮到的主要因素。
較高的電源電壓抑制(Power Supply Rejection Ration;PSRR)
聲頻功率放大器必須具有較高的PSRR，可以避免受到電源與布線噪聲的干擾。
快速的開關(guān)機(jī)(Fast turn on & off)
擁有較長的待機(jī)時間，為手機(jī)或PDA 之基本訴求，AB 類聲頻放大器的效率約為50 至60 %，D 類聲頻放大器的效率可達(dá)85 至90%，不管使用何種聲頻放大器，為了節(jié)省功率消耗，在不需要用到聲頻放大器時，均需進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)，然而當(dāng)一有聲音出現(xiàn)時，聲頻放大器必須馬上進(jìn)入開機(jī)狀態(tài)。
無「開關(guān)切換噪聲」(Click & Pop)聲
「開關(guān)切換噪聲」聲常出現(xiàn)于聲頻放大器進(jìn)入開關(guān)機(jī)時，或是由待機(jī)回復(fù)至正常狀態(tài)，甚至是217Hz 手機(jī)通信訊號時，手機(jī)或PDA 之使用者絕不會希望聽到擾人的噪音，將「開關(guān)切換噪聲」消除電路加入聲頻放大器的考慮中，為重要的必備條件。
較
低之工作電壓
為延長電池使用時間，更要求在低至1.8 伏特的條件下仍可進(jìn)行作業(yè)。
低電流消耗與高效率
使用CMOS 制程之IC，可降低電流消耗，有時需選擇D 類聲頻放大器，目的在延長手機(jī)或個人數(shù)字處理器之工作時間。
高輸出功率
在相同工作電壓下具有較高的輸出功率，亦即輸出訊號之?dāng)[幅越接近Vcc 與GND 時，其輸出功率越高。
較小的封裝(Micro SMD)
手機(jī)或個人數(shù)字處理器的外觀越來越小巧，使得IC 封裝技術(shù)越來越重要，Micro SMD 為現(xiàn)今較常用到的封裝技術(shù)。
輸出功率的計算
單端式(Single-end )放大器如(圖一)所示，其增益為：(公式一) Gain=Rf/Ri Rf:回授阻抗Ri:輸入阻抗
(圖一) 單端式(Single-end) 放大器
由輸出功率=(VRMS)2/Rload，VRMS=Vpeak /21/2，因此單端式(Single-end )放大器輸出功率=(Vpeak)2/2Rload 。橋接式(BTL)放大器如(圖二)所示，由兩個單端式(Single-end )放大器以相差180° 組成，故其增益為(公式二) Gain=2Rf/Ri Rf:回授阻抗Ri:輸入阻抗由輸出功率=(VRMS)2/Rload，橋接式VRMS=2Vpeak/21/2，因此橋接式輸出功率=2(Vpeak)2/Rload=4×端式放大器輸出功率。
圖二) 橋接式放大器與施加于喇叭正負(fù)端之波形
輸入與輸出耦合電容值的選擇
如圖一，輸入阻抗與輸入耦合電容形成一高通濾波器，如欲得到較低的頻率響應(yīng)，則需選擇較大的電容值，其關(guān)系可用以下公式表示：(公式三) fC =1/2∏(RI)(CI) fC:高通濾波截止頻率RI:輸入阻抗CI:輸入耦合電容值，此電容用以阻隔直流電壓并且將輸入訊號耦合至放大器的輸入端。
在行動通訊系統(tǒng)中，由于體積的限制，即使使用較大的輸入耦合電容值，揚(yáng)聲器也通常無法顯現(xiàn)出50Hz 以下的頻率響應(yīng)。因此，假設(shè)輸入阻抗為20K 奧姆，只需之輸入耦合電容值大于0.19uF 即可，在此狀況下，0.22uF 是最適當(dāng)選擇。
對于輸出耦合電容值之設(shè)定而言，同圖一中，如欲得到較佳的頻率響應(yīng)，電容值亦需選擇較大的容值，其關(guān)系可用以下公式表示：(公式四) fC =1/2∏(RL)(CO) fC:高通濾波截止頻率RL:喇叭(耳機(jī))之阻抗C輸出耦合電容值
例如，當(dāng)使用32 奧姆之耳機(jī)，如希望得到50Hz 的頻率響應(yīng)時，則需選擇99uF 的輸出耦合電容值，在此狀況下，100uF 是最適當(dāng)選擇。
散熱(Thermal)考慮
在設(shè)計單端式(Single-end )放大器或是橋接式(BTL)放大器時，功率消耗是主要考慮因素之一，增加輸出功率至負(fù)載，其內(nèi)部功率消耗亦跟著增加。
橋接式(BTL)放大器的功率消耗可用以下公式表示：(公式五) PDMAX_BTL =4(VDD)2/(2∏2RL) VDD:加于橋接式(BTL)放大器之電源電壓RL:負(fù)載阻抗
例如，當(dāng)VDD =5V、RL =8ohm 時，橋接式放大器的功率消耗為634mW ，如負(fù)載阻抗改成32ohm 時，其內(nèi)部功率消耗降低至158mW。
而單端式(Single-end )放大器的功率消耗可用以下公式表示：(公式六) PDMAX_SE=(VDD)2/(2∏2RL) VDD:加于單端式(Single-end )放大器之電源電壓RL:負(fù)載阻抗亦即單端式放大器的功率消耗僅為橋接式放大器的四分之一。所有的功率消耗加起來除以IC 的熱阻(?JA)即是溫升。
布線(Layout)考慮
設(shè)計人員在布在線，有一些基本方針必須加以遵守，例如：
所有訊號線盡可能單點接地;
為避免兩訊號互相干擾，應(yīng)避免平行走線，而以90°跨過方式為之。
數(shù)字之電源、接地應(yīng)和模擬之電源、接地分開。
高速數(shù)字訊號走線應(yīng)遠(yuǎn)離模擬訊號走線，亦不可置于模擬組件下方。
3D 強(qiáng)化立體聲在手機(jī)與PDA 之應(yīng)用
就大多數(shù)人的了解，「3D 音效」既非單聲道，亦非雙聲道， 它是一種聲頻的處理技術(shù)，使聆聽者在非實際的環(huán)境下， 感覺到聲音發(fā)出的地點，這就必須非常講究揚(yáng)聲器(喇叭)的放置位置與數(shù)目。但是在手機(jī)與PDA 處理器中，無法放置如此多的揚(yáng)聲器，因此發(fā)展出以兩個揚(yáng)聲器加上運(yùn)用硬件或軟件的方式，來仿真「3D 音效」，亦即所謂的「3D 強(qiáng)化立體聲音效」(3D Enhancement)。(圖三)為3D 強(qiáng)化立體聲之聲頻次系統(tǒng)方塊圖，用于立體聲手機(jī)或個人數(shù)字處理器中，此聲頻次系統(tǒng)由下列幾個部份組成：
后級放大器：包括一立體聲揚(yáng)聲器(喇叭)驅(qū)動器，一立體聲耳機(jī)驅(qū)動器，一單聲道耳機(jī)放大器(earpiece)，和一用于免持聽筒之線路輸出(line out)，例如汽車的免持聽筒電話輸出。
音量控制：可提供分為32 級的音量控制，而且左、右及單聲道的音量均可獨(dú)立控制。
混音器：用來選擇輸出與輸入音源之關(guān)系，可將立體聲及單聲道輸入傳送及混合一起，并將這些輸入分為16 個不同的輸出模式，使系統(tǒng)設(shè)計工程師能夠靈活傳送及混合單聲道及立體聲聲頻訊號，不會限定訊號只能傳送給立體聲揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)。
電源控制與「開關(guān)切換噪聲」消除電路。
3D 強(qiáng)化立體聲，以硬件的方式為之。
使用I2C 兼容接口加以控制芯片的功能。
聲音在不同位置
傳至左右耳朵時，會產(chǎn)生不同相位差。利用此相位差原理和硬件方法，便可以仿真出3D 強(qiáng)化立體聲音效，即使系統(tǒng)在體積或設(shè)備上受到限制，而必須將左右喇叭擺放得很近時，仍然可以改善立體聲各高低聲部定位的種種問題。
如圖三之3D 強(qiáng)化立體聲方塊圖所示，一外接之電阻與電容電路用以控制3D 強(qiáng)化立體聲之音效，用兩個分別的電阻與電容電路來控制立體聲揚(yáng)聲器與立體聲耳機(jī)，如此可達(dá)到最佳之3D 強(qiáng)化立體聲效果。
在此電阻與電容電路中，3D 強(qiáng)化立體聲效果的「量」是由R3D 電阻來設(shè)定的，并且成反比關(guān)系，C3D 電容用以設(shè)定3D 強(qiáng)化立體聲效果的3dB 低頻截止頻率，在低頻截止頻率以上方能顯現(xiàn)出3D 強(qiáng)化立體聲效果，增加C3D 電容值將降低低頻截止頻率，其關(guān)系可用以下公式表示。(公式七) f3D(-3dB)=1/2∏(R3D)(C3D)
(圖三) 3D 強(qiáng)化立體聲聲頻子系統(tǒng)方塊圖
結(jié)論
由于行動電話與個人數(shù)字處理器已發(fā)展為能夠提供各種不同娛樂的多功能可攜式設(shè)備，廠商們皆盡量采用高度原音的聲頻系統(tǒng)及壽命較長的電池，并使此類可攜式電子產(chǎn)品具備立體聲喇叭放大器，多種不同的混音，以及3D 強(qiáng)化立體聲等功能，同時在外型外也盡量輕薄小巧。但其設(shè)計范疇仍不脫離以上所述基本原理，此為本文所要表達(dá)之另一目的。