中國上海，2011年5月27日 —— 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面找到了最佳平衡點，并且具有行業最低的RDS (on) （25V和30V均為亞1 mΩ級），是高性能、高可靠性開關應用的理想之選。傳統方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結技術來優化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實現強大的開關性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。
事實/要點：
    • 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個參數方面性能表現優異：
     o 低RDS (on) —— 擁有行業最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有I2R損耗低、性能出色的特點
     o 低Qoss，有利于減少漏極與源引腳之間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，還可減少輸出電容 (Coss) 中存儲的損耗能量
     o 低Miller電荷 (Qgd)，有利于減少開關損耗和高頻開關次數
     o SOA性能可以極好地承受過載和故障條件
     o 低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
     o 出色的額定結點溫度Tj(max)，堅固型Power-SO8 LFPAK封裝則為條件惡劣且對可靠性要求較高的環境提供了保障。

    • 主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模塊和功率OR-ing

積極評價：
    • 恩智浦半導體功率MOSFET部營銷經理Charles Limonard表示：“在25V和30V條件下實現行業最低的RDS (on)，這只是其突出表現的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我們還可以控制MOSFET行為的各個方面——超越導通電阻和柵極電荷——為開關應用帶來高性能、高可靠性和最大功效。”
鏈接：
    • 采用LFPAK封裝的NextPower 25V和30V MOSFET
型號：
    • NextPower 25V MOSFET：PSMN0R9-25YLC、PSMN1R1-25YLC、PSMN1R2-25YLC、PSMN1R7-25YLC、PSMN1R9-25YLC、PSMN2R2-25YLC、PSMN2R9-25YLC、PSMN3R2-25YLC、PSMN3R7-25YLC、PSMN4R0-25YLC
    • NextPower 30V MOSFET：PSMN1R0-30YLC、PSMN1R2-30YLC、PSMN1R5-30YLC、PSMN2R2-30YLC、PSMN2R6-30YLC、PSMN3R2-30YLC、PSMN3R7-30YLC、PSMN4R1-30YLC、PSMN4R5-30YLC
關于恩智浦半導體
    恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構，2010年公司營業額達到44億美元。更多恩智浦相關信息，請登錄公司官方網站www.nxp.com 查詢。