低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成為移動DRAM領域中的主要技術，預計到今年第二季度將占據40%的份額，高于第一季度的31%。大部分移動DRAM市場仍然由較舊的LPDDR1技術控制，但時間不會太長了。

    到今年第四季度，情況將會發生改變，屆時LLPDDR2將首次取得優勢，控制58%的市場份額，如圖4所示。

    移動DRAM曾經是DRAM市場中的一潭死水，但現在三星、海力士半導體、爾必達和美光等重要廠商正在向這個領域投入更多的工程與開發努力。不同于標準DRAM，移動DRAM功耗較低、發熱較少而且占用的空間較小，特別適合智能手機和其它小型電子產品。這些產品都需要更強的計算能力和更小的占用空間。移動DRAM也用于數碼相機、便攜媒體播放器、便攜游戲產品和平板電腦。

    移動DRAM面臨的一個主要挑戰，是其性能能否滿足未來產品的要求。雖然LPDDR2現在對于手機和平板電腦來說已足夠，但功耗和寬帶問題仍然令人關注。

    例如，工作電壓為1.2V的時候，LPDDR2在每次數據傳輸中可以比LPDDR1節省50%左右的功耗。但是，如果未來設備的數據傳輸量是目前的10倍——很快就會達到這樣的水平，則LPDDR2將根本無法滿足要求。

    LPDDR2的傳輸速度是每秒8.5GB，而LPDDR1只有1066MHz，這點也很突出。但LPDDR2這樣的速度可能不足以滿足即將推出的產品。智能和機廠商的反饋顯示，需要數據率高達每秒12.8GB，這將要求LPDDR2把時鐘頻率提高到800MHz，而IHS公司認為這似乎不太可行。

下一步是什么？

    由于LPDDR2可能達到性能極限，并很快無力滿足更高的要求，幾種移動DRAM技術正在爭取人們的關注，試圖取而代之，如表1所示。

    目前處于前列的包括：Rambus公司的移動XDR；SPMT聯盟開發的串行端口內存技術，準備充當免授權費的內存接口。

    其它移動DRAM技術包括Wide I/O，聲稱要在硅片層面連接DRAM內核，但不一定是移動技術；LPDDR3，其參數仍然未定；DDR4，一種標準DRAM，在2013年以前可能不會面世。