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英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2
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瑞薩電子悄然放緩未來十年增長預期
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Vishay 新款具有領先導通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
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英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關成本
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
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第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
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華碩侵犯力士科技MOSFET專利被判賠償1050萬美元
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Vishay推出性能先進的新款40 V MOSFET
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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
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意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET
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強茂推出SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術
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Nexperia推出新款120 V/4 A半橋柵極驅動器，進一步提高工業(yè)和汽車應用的魯棒性和效率
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Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領先的功率損耗性能
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東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200 V SiC MOSFET
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Nexperia與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
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Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級小信號MOSFET
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性
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Magnachip推出用于智能手機的第8代短溝道MOSFET
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PANJIT推出最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級 MOSFET系列
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
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Vishay推出具有業(yè)內先進水平的小型頂側冷卻
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意法半導體車規(guī)MDmesh DM9超結MOSFET提升硅片能效
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英飛凌為汽車應用推出業(yè)內導通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進水平
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列
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