奈梅亨，2024年5月23日：Nexperia 今天宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅（SiC） MOSFET，采用D²PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，有30、40、60和80 mΩ R_DSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括R_DSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。

　　隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D²PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開(kāi)關(guān)日益增長(zhǎng)的需求，這種開(kāi)關(guān)在電動(dòng)汽車（EV）充電（充電樁）、不間斷電源（UPS）以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）逆變器等各種工業(yè)應(yīng)用中越來(lái)越受歡迎。這也進(jìn)一步證明了Nexperia與三菱電機(jī)公司（MELCO）之間成功的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，兩家公司聯(lián)手將SiC寬帶隙半導(dǎo)體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時(shí)還提高了該技術(shù)的未來(lái)生產(chǎn)能力，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

　　R_DSon是SiC MOSFET的一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)，因?yàn)樗鼤?huì)影響傳導(dǎo)功率損耗。然而，許多制造商只關(guān)注標(biāo)稱值，而忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著設(shè)備工作溫度的升高，R_DSon相比室溫下的標(biāo)稱值可能會(huì)增加100%以上，從而造成相當(dāng)大的傳導(dǎo)損耗。Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場(chǎng)上許多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術(shù)特性，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的R_DSon溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，R_DSon的標(biāo)稱值僅增加38%。

　　嚴(yán)格的閾值電壓V_GS（th）規(guī)格使這些MOSFET分立器件在并聯(lián)時(shí)能夠提供平衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓（V_SD）有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。

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