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大功率射頻放大電路過沖損傷的研究與設(shè)計

大功率射頻放大電路因多種不易察覺的設(shè)計缺陷極易出現(xiàn)功率過沖情況，對硬件的可靠性和使用壽命造成不可忽視的影響，且嚴重干擾工作質(zhì)量。針對大功率射頻放大電路過沖損傷問題，重點研究收發(fā)時序控制、頻率控制、ALC響應(yīng)等對大功率射頻放大電路的可靠性和使用壽命的影響，提出大功率射頻放大電路收發(fā)時序控制、頻率控制、ALC響應(yīng)的設(shè)計原則。典型運用和驗證表明，正確、可靠的收發(fā)時序控制、頻率控制、ALC響應(yīng)能夠有效解決過沖損傷問題，提高產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

發(fā)表于：6/19/2025

一款雙頻段雙極化天線設(shè)計

設(shè)計了一款2.4 GHz和5.8 GHz頻段的雙頻雙極化天線，可應(yīng)用于同步雙通道無線通信。首先利用特征模理論分析無U形縫隙加載的輻射結(jié)構(gòu)的諧振特性，存在兩個不同的諧振模式；其次引入輻射結(jié)構(gòu)加載U形縫隙，在高頻段得到兩個幅度相同，相位差為90°的諧振模式，實現(xiàn)了圓極化；最后在模式電流最大處引入耦合饋電，實現(xiàn)雙頻雙極化天線的設(shè)計并進行實測驗證。實測結(jié)果表明：天線在低頻處實現(xiàn)全向線極化，阻抗帶寬為2.1%（2.38 GHz~2.43 GHz）；在高頻處實現(xiàn)定向圓極化，阻抗帶寬為22.8%（4.90 GHz~6.16 GHz），軸比帶寬為2.4%（5.75 GHz~5.89 GHz）。測量結(jié)果和仿真結(jié)果基本吻合，驗證了設(shè)計的有效性。

發(fā)表于：6/19/2025

用于多機協(xié)同平臺的高隔離度收發(fā)一體射頻裝置

針對多機協(xié)同平臺的通信需求，提供了一種高隔離度、寬動態(tài)、快速響應(yīng)的收發(fā)一體射頻裝置設(shè)計方法。介紹了收發(fā)一體機的射頻電路架構(gòu)設(shè)計，從工程應(yīng)用角度詳細分析了AGC電路、隔離度、線性度等關(guān)鍵技術(shù)指標。研制了一種高隔離度的收發(fā)一體4×2射頻開關(guān)矩陣，通過裝機測試試驗，收發(fā)隔離度指標大于99 dB，接收動態(tài)范圍大于65 dB，收發(fā)一體射頻裝置的各項射頻指標可靠穩(wěn)定，滿足多機通信使用需求，為后續(xù)多機數(shù)據(jù)交換設(shè)備的研制提供了參考。

發(fā)表于：6/19/2025

Qorvo推出全新緊湊型解決方案QPQ3550和QPA9862

近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）推出兩款先進的射頻組件，專為滿足5G大規(guī)模多輸入多輸出（mMIMO）和固定無線接入（FWA）部署中對更高性能、更高集成度和更緊湊射頻設(shè)計的需求而量身定制。

發(fā)表于：6/19/2025

恩智浦發(fā)布新一代NTAG X DNA NFC互聯(lián)標簽，實現(xiàn)安全身份驗證

中國上海——2025年5月28日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出新一代Type 4安全互聯(lián)NFC標簽——NTAG X DNA。

發(fā)表于：5/29/2025

美國宣布禁止“存在安全風(fēng)險”中國實驗室提供FCC認證

當(dāng)?shù)貢r間2025年5月22日，美國聯(lián)邦通信委員會（FCC）以4:0表決通過了新規(guī)定，以阻止和消除中國和其他不值得信任的行為者對進入美國銷售的無線設(shè)備檢測認證授權(quán)過程的控制權(quán)。這些規(guī)則將確保數(shù)百個設(shè)備測試實驗室和電信認證機構(gòu)——負責(zé)測試、審查和認證在美國進口、營銷和銷售的無線電子設(shè)備的實體——不擁有構(gòu)成國家安全風(fēng)險的所有權(quán)利益，包括他們可能會被外國對手競標的風(fēng)險。

發(fā)表于：5/26/2025

【熱門活動】2025中國西部微波射頻技術(shù)研討會

“2025中國西部微波射頻技術(shù)研討會，暨第三十屆國際電子測試測量研討會”繼續(xù)由《電子技術(shù)應(yīng)用》與中國電子展組委會共同策劃，邀請了國內(nèi)外先進半導(dǎo)體廠商、測試測量廠商、資深技術(shù)專家，助力設(shè)計人員深入了解微波/射頻設(shè)計及測試中使用的技術(shù)和技巧，切實解決工程師們遇到的特殊設(shè)計難題！

發(fā)表于：5/23/2025

2025年Q1全球微波傳輸市場表現(xiàn)強勁

北京時間5月21日消息，根據(jù)市場研究公司Dell'Oro Group最新發(fā)布的報告，全球微波傳輸市場在2025年第一季度延續(xù)同比增長態(tài)勢，實現(xiàn)強勁同比增長。

發(fā)表于：5/22/2025

羅德與施瓦茨和蓋瑞特聯(lián)合開發(fā)高安全等級安檢應(yīng)用集成解決方案

　　蓋瑞特（Garrett）將其步行通過式金屬探測器與羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）QPS201毫米波安檢儀進行集成。該聯(lián)合解決方案特別適用于監(jiān)獄等高風(fēng)險場景，以及貴金屬行業(yè)的防損應(yīng)用。QPS201采用先進的毫米波（mmWave）技術(shù)，能夠檢測各類材質(zhì)的物品。而在高安保等級的安檢場景中，蓋瑞特Paragon步行通過式金屬探測器通過識別極其微小或體內(nèi)藏匿的金屬威脅，為毫米波檢測提供了獨特補充，從而為防范隱蔽攜帶物品提供了更多安全保障層級。

發(fā)表于：5/16/2025

EMV 2025：羅德與施瓦茨推出新型天線

　　在斯圖加特舉辦的EMV 2025展會上，羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）首次推出了其高性能的R&S HF1444G14高增益EMI微波天線。這款天線覆蓋了14.9 GHz至44 GHz的頻率范圍，完全符合CISPR 16-1-4和CISPR 16-2-3標準的要求。憑借其精密的機械結(jié)構(gòu)和可選的獨立校準，R&S HF1444G14成為電磁干擾（EMI）測量的理想選擇。該產(chǎn)品的推出不僅順應(yīng)了行業(yè)向更高頻率發(fā)展的趨勢，還顯著提升了在小型暗室中對大型物體的測試效率，進一步簡化了測試流程。

發(fā)表于：5/16/2025

Ka頻段小型化氣密寬帶功放組件研制

介紹了一種Ka頻段小型化氣密寬帶功放組件的工程實現(xiàn)。使用16片GaN功率芯片，1片GaAs驅(qū)動芯片，同時采用微帶環(huán)形電橋功分器與波導(dǎo)功分/合成網(wǎng)絡(luò)相結(jié)合的方式進行功率合成，采用同軸探針式波導(dǎo)氣密封電路與射頻腔體激光封焊對功放模塊射頻電路進行整體氣密封裝以避免鹽霧和低氣壓等環(huán)境對功放可靠性的影響。最終得到的功放組件在25~31 GHz的寬工作頻帶內(nèi)連續(xù)波飽和輸出功率大于140 W，同時使用翅片散熱器的強制風(fēng)冷方案，提高了散熱器的換熱效率，散熱性能良好。功放技術(shù)狀態(tài)穩(wěn)定，可靠性及實用性滿足工程使用要求，適用于測控、通信、電子對抗等領(lǐng)域的微波發(fā)射系統(tǒng)。

發(fā)表于：5/15/2025

基于Kriging插值的天線近場測量誤差修正方法

隨著天線技術(shù)的不斷發(fā)展，近場測量技術(shù)的重要性也在不斷增加，近場測量過程中部分探頭故障或者采樣點間隔過大會導(dǎo)致外推的遠場方向圖誤差較大，為了減少這些誤差，提出了一種基于Kriging插值的天線近場測量誤差降低方法。首先，在HFSS中對矩形口徑喇叭天線進行仿真。隨后，將采樣間隔為1°的近場數(shù)據(jù)與采樣間隔為6°的近場數(shù)據(jù)進行近遠變換并對比。在采樣間隔6°的基礎(chǔ)上，隨機減少30%的采樣點，并通過Kriging插值法填補缺失的數(shù)據(jù)，進行近遠場變換，并與仿真遠場結(jié)果進行對比。插值后的誤差與插值前的誤差相比，E面減少了1.65 dB，H面減少了4.93 dB，同時采樣點數(shù)減少了30%。結(jié)果表明，基于Kriging插值的近場數(shù)據(jù)修正方法能夠在近場采樣間隔過大時有效減少測量誤差，且在部分探頭故障時也能保持較高精度。

發(fā)表于：5/15/2025

意法半導(dǎo)體ST25R系列高性能NFC讀卡器新增車規(guī)產(chǎn)品，目標應(yīng)用主打汽車數(shù)字鑰匙

2025年4月24日，中國 —— 意法半導(dǎo)體ST25R系列NFC讀卡器推出兩款喚醒速度和檢測距離俱佳的車規(guī)新產(chǎn)品，提升用戶體驗。

發(fā)表于：4/24/2025

基于開口環(huán)諧振器的二維線性位移微波傳感器

采用微波技術(shù)測量位移的方法，設(shè)計了一種基于開口環(huán)諧振器（Split Ring Resonator，SRR）的二維線性位移微波傳感器。傳感器由定子與動子兩部分構(gòu)成，其中定子由兩組不同尺寸的SRR耦合一條傳輸微帶線構(gòu)成，動子采用單面覆銅的FR-4介質(zhì)基板制成。動子二維移動時兩個SRR的諧振頻率將發(fā)生變化，傳輸零點也產(chǎn)生對應(yīng)偏移，從而建立起位移和傳輸零點的關(guān)系。此外通過對SRR加載缺陷地結(jié)構(gòu)，提高了檢測靈敏度。經(jīng)電磁建模和仿真，傳感器在1 GHz至3.2 GHz范圍內(nèi)產(chǎn)生兩個傳輸零點，可在x和y方向表征0~6 mm的位移，靈敏度分別為122 MHz/mm和82 MHz/mm。制作并測試了傳感器實物，實測與仿真的數(shù)據(jù)基本吻合，證實了該傳感器設(shè)計的有效性。

發(fā)表于：4/22/2025

K波段跨導(dǎo)增強雙路噪聲抵消低噪聲放大器

為滿足通信系統(tǒng)發(fā)展對高性能硅基低噪聲放大器的需要，提出了一種跨導(dǎo)增強雙路噪聲抵消電路拓撲，能對晶體管噪聲進行抵消，以實現(xiàn)良好的噪聲性能。共柵路徑中引入的跨導(dǎo)增強結(jié)構(gòu)進一步改善了增益與噪聲性能。基于以上拓撲設(shè)計了一款K波段低噪聲放大器，由共柵與共源兩條路徑組成，兩者互為反饋支路，通過兩路合成實現(xiàn)雙路的噪聲抵消。電路采用90 nm CMOS SOI工藝設(shè)計，芯片核心尺寸為500 μm×280 μm。仿真結(jié)果表明，在17~22 GHz頻帶內(nèi)實現(xiàn)了1.61~1.87 dB的噪聲系數(shù)和15.8 dB的峰值增益，1 dB壓縮點輸入功率為-4.3 dBm，體現(xiàn)了較好的噪聲性能與線性增益。

發(fā)表于：4/22/2025