| T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：3710 K | |
| 標(biāo)簽： GaN HEMT T型柵 ESD | |
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| 文檔介紹：對Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機理與影響因素進行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點，進行了對應(yīng)的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對器件抗靜電能力的影響并進行相關(guān)機理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。 | |
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