| 針對總劑量效應4H-SiC功率器件的加固設計方法 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：3818 K | |
| 標簽： 4H-SiC 器件 總劑量效應 電路加固 | |
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| 文檔介紹：介紹了總劑量效應對4H-SiC功率器件的影響以及對應的加固方案。首先介紹了4H-SiC功率器件的電氣特性以及工作時面臨的輻照環(huán)境。接著根據(jù)輻射對器件特性的影響，識別輻射缺陷，并建立了退化機制。然后，分析了單極性器件和雙極性器件的輻照的特性。最后，針對器件在輻照環(huán)境中的退化機理，分別從工藝、器件結構、版圖與電路方面提出了加固設計方法。 | |
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