| 1.65~3 GHz 500 W功率放大器設計與實現(xiàn) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>688 K | |
| 標簽： GaN功率管 高功率 高效率 | |
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| 文檔介紹：現(xiàn)代發(fā)射系統(tǒng)對功率放大器的工作頻帶和功率等級提出了越來越高的要求，而基于新型GaN功率器件的功放設計可以滿足這些新的需求。采用GaN HEMT進行基本功放單元設計，并創(chuàng)新性地采用非對稱結(jié)構(gòu)的5路徑向功率合成器實現(xiàn)整機所需功率同時提高整機效率。該功率放大器工作頻率為1.65~3 GHz，實測輸出功率大于500 W(CW)，電源轉(zhuǎn)換效率大于25%，較同類產(chǎn)品在效率體積等指標上有較大提升。該產(chǎn)品適用于高功率系統(tǒng)應用，如EMC測試、電子對抗等。 | |
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