| 基于0.35 μm CMOS工藝的高溫高壓LDO芯片設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：1053 K | |
| 標簽： LDO CMOS 高溫高壓 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：基于X-FAB xa 0.35 μm CMOS工藝，首先采用Cascode電流鏡和高壓管，設計了一種具有高電源抑制比且無需額外提供偏置模塊的高溫高壓基準電路，在輸入電壓為5.5 V～30 V、工作溫度為-55 ℃～175 ℃時，可獲得穩定的0.9 V基準電壓。接著針對負反饋環路的穩定性問題，根據動態零點補償原理設計了一種新的動態零點補償電路，使系統在全負載變化范圍內保持穩定。同時配合其他過溫保護、過壓保護、過流保護和邏輯控制等電路模塊，完成一款面積為2.822 3 mm2的高溫高壓低壓差線性穩壓器(LDO)芯片的設計。 | |
| 現在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2