| IGBT模塊系列 | |
| 所屬分類：教程|講義 | |
| 上傳者：serena | |
| 標簽： IGBT MOSFET 復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件 | |
| 所需積分：1分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2