| 一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： 無片外電容 LDO | |
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| 文檔介紹： 電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100A到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz。 | |
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