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臺積電稱暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入High NA EUV必要

5 月 28 日消息，臺積電負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)開發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強在荷蘭阿姆斯特丹當(dāng)?shù)貢r間昨日舉行的公司 2025 年技術(shù)論壇歐洲場上表示，臺積電暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入 High NA EUV 的必要。張曉強表示，臺積電新近公布的 1.4nm 級邏輯制程 A14 即使沒有導(dǎo)入 High NA EUV 圖案化設(shè)備，提升幅度也相當(dāng)可觀。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱SK海力士計劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報道稱，SK海力士計劃今年十月開始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達(dá)計劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺積電警告稱芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計劃

5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務(wù)部豁免芯片進(jìn)口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴建計劃，并威脅美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計劃再建三座晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝廠和一個研發(fā)中心，總投資額累計 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱三星電子調(diào)整HBM團隊組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人全永鉉正在對內(nèi)部組織進(jìn)行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評價為“錯失開發(fā)時機”的高帶寬存儲器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開發(fā)團隊細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn) HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團隊。

發(fā)表于：5/28/2025

3年虧損超8億元基本半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請

5月27日，據(jù)港交所官網(wǎng)顯示，中國碳化硅功率器件廠商——深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交了上市申請表，中信證券、國金證券(香港)有限公司、中銀國際為其聯(lián)席保薦人。

發(fā)表于：5/28/2025

英飛凌推出PSOC? 4100T Plus MCU

【2025年5月27日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用Multi-Sense技術(shù)的 Arm® Cortex®-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC? 4100T Plus。這款新型MCU集豐富的模擬和數(shù)字功能于一身，擁有128K閃存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense這一包含CAPSENSE?、電感式傳感和液位傳感功能的英飛凌先進(jìn)技術(shù)。PSOC? 4100T Plus 還擁有更高的可靠性以及多種增強功能和先進(jìn)傳感功能，為系統(tǒng)控制和人機接口（HMI）應(yīng)用提供了完整的解決方案。

發(fā)表于：5/28/2025

意法半導(dǎo)體推出兩款GaN半橋驅(qū)動器，可提高能效和魯棒性

2025年5月27日，中國——意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。

發(fā)表于：5/28/2025

我國小衛(wèi)星太陽翼立體存儲系統(tǒng)建成投入使用

5月28日消息，中國空間技術(shù)研究院宣布，近日，由五院529廠與航天東方紅共同建設(shè)的小衛(wèi)星太陽翼立體存儲系統(tǒng)正式通過驗收，投入使用。據(jù)介紹，該系統(tǒng)由提升機、出入庫平臺、貨架、托盤及智能倉儲管理系統(tǒng)等組件構(gòu)成，總體占地面積70余平方米，高度近12米。系統(tǒng)共配置26個獨立存儲托盤，單一托盤載重能力大于1噸，可同時存放多組小衛(wèi)星太陽翼及模擬墻組合體。

發(fā)表于：5/28/2025

臺積電3nm產(chǎn)能利用率已達(dá)100%

5月26日消息，根據(jù)韓國媒體ZDnet Korea 的報導(dǎo)，近年來，受惠于人工智能（AI）芯片需求的強勁成長，臺積電正積極提升其先進(jìn)制程的生產(chǎn)比例。尤其是當(dāng)前已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)的3nm制程，以及即將要進(jìn)入量產(chǎn)的2nm制程技術(shù)，更是觀察其半導(dǎo)體市場健康狀態(tài)的重點。報道稱，臺積電已經(jīng)量產(chǎn)的3nm制程的產(chǎn)能利用率，在過去一段時間內(nèi)有顯著提升。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)Counterpoint Research 的報告，自量產(chǎn)以來，3nm制程經(jīng)過五季的提升，首次達(dá)到了100%的利用率狀況。帶動這股強勁需求的，首先是對x86 PC 中央處理器（CPU）的需求大幅提升，以及其他應(yīng)用處理器，這些芯片廣泛應(yīng)用于高效能運算和旗艦智能手機上。其中包含了蘋果用于其最新產(chǎn)品的A17 Pro 和A18 Pro 芯片。

發(fā)表于：5/27/2025

美國政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺在即！

5月27日消息，針對美國商務(wù)部《貿(mào)易擴張法》第232條進(jìn)行的半導(dǎo)體進(jìn)口國家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國半導(dǎo)體巨頭以及美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）近日都向美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見評論，紛紛敦促美國總統(tǒng)特朗普謹(jǐn)慎對待半導(dǎo)體關(guān)稅，并警告一旦施行廣泛的關(guān)稅，可能對美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴(yán)重意外損害。根據(jù)此前報道，美國特朗普政府可能很快將會推出針對半導(dǎo)體加征關(guān)稅的政策，市場傳聞稅率可能高達(dá)25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來加征關(guān)稅，這也將對臺積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠商，以及以及英偉達(dá)、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計廠商帶來負(fù)面影響。

發(fā)表于：5/27/2025

消息稱三星電子MLC NAND閃存準(zhǔn)備停產(chǎn)

5 月 27 日消息，韓國 TheElec 報道稱，三星電子當(dāng)?shù)貢r間 26 日對客戶透露 MLC NAND 閃存即將停產(chǎn)，計劃在下個月接受最后的 MLC 芯片訂單。 TheElec 報道稱，三星電子在通報最后 MLC NAND 排產(chǎn)計劃的同時，還向部分客戶通報了 MLC 漲價的計劃，促使客戶開始尋求新的替代供應(yīng)商。

發(fā)表于：5/27/2025

施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術(shù)重構(gòu)變頻器防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)

在工業(yè)自動化領(lǐng)域，變頻器作為核心控制設(shè)備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機性能。然而，復(fù)雜的使用環(huán)境對變頻器PCB電路板的防護(hù)提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術(shù)有限公司正是在這一行業(yè)痛點中，通過與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術(shù)實現(xiàn)產(chǎn)品競爭力的跨越式提升。

發(fā)表于：5/27/2025

臺積電發(fā)強硬聲明硬杠美國芯片關(guān)稅

5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，美國商務(wù)部針對半導(dǎo)體關(guān)稅的所謂“232調(diào)查”意見報告即將出爐，半導(dǎo)體關(guān)稅呼之欲出。近日，晶圓代工龍頭臺積電致函美政府的全文首度曝光，其措詞強硬地警告稱，若美方執(zhí)意對芯片征收進(jìn)口關(guān)稅，將影響該公司在美國亞利桑那州的投資計劃。

發(fā)表于：5/27/2025

環(huán)球晶圓加入Wolfspeed客戶爭奪戰(zhàn)

5月26日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，針對近日全球碳化硅（SiC）龍頭Wolfspeed將申請破產(chǎn)保護(hù)一事，半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示，希望爭取Wolfspeed原來合作客戶轉(zhuǎn)單的機會。

發(fā)表于：5/27/2025

三星將在2028年前采用玻璃中介層技術(shù)

5月25日消息，據(jù)ET新聞報道，三星電子計劃從 2028 年開始在芯片封裝中采用玻璃中介層，預(yù)計可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生產(chǎn)，將徹底改變 AI芯片封裝。在芯片制造中，中介層是 2.5D 芯片封裝的關(guān)鍵部件，尤其是對于 AI 芯片來說，比如GPU和高帶寬內(nèi)存（HBM）需要依靠中介層來連接這兩個組件，以實現(xiàn)更快的通信。雖然傳統(tǒng)的硅中介層很有效，但其成本遠(yuǎn)高于玻璃中介層，而且玻璃中介層對超精細(xì)電路具有更高的精度和更高的尺寸穩(wěn)定性。玻璃中介層的優(yōu)勢絕對超過了傳統(tǒng)的硅中介層，這使它們成為下一代 AI 芯片的關(guān)鍵技術(shù)。

發(fā)表于：5/26/2025