2010年9月28日，德州奧斯汀——飛思卡爾半導體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無線基站收發器里使用Doherty多載波功率放大器(MCPA)要求的超高輸出電平。
    飛思卡爾MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF-8S19260H/S產品是飛思卡爾RF功率放大器中高壓第8代(HV8)產品系列的最新成員。它們在1 800 MHz和1 900 MHz頻段中，提供飛思卡爾RF LDMOS功率晶體管產品組合的最高輸出電平。
    MCPA支持無線服務提供商提高現有基站的覆蓋面和功率，不用像過去那樣經常要在每載波里提供一個專用放大器。MCPA技術允許單個放大器處理多個載波，從而減少終端產品尺寸和組件數量。此外，Doherty配置提高了功率放大器的能源效率，并減少了基站每年的運營成本。
    飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Gavin P. Woods表示，“我們設計飛思卡爾HV8組合來幫助設計人員提高運營效率，降低基站系統的整體能耗和運營成本。 由于增加了先進的MCPA、 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S產品，我們的LDMOS產品得到進一步擴展，從而為客戶帶來更多選擇，以滿足他們的設計需求，特別是滿足大量無線服務提供商的要求。”
    新產品滿足了Doherty放大器體系結構的特殊要求，該體系結構將以AB級模式運行的載波放大器與以效率更高的C類模式運行的峰值放大器組合到一起。它們的這些特性還能夠特別滿足數字預失真（DPD）電路的要求，從而保證了高階預制方案規定的高線性。
    晶體管通過內部匹配提供簡化的總成，性能十分牢固，而且在32 V的直流電壓中生成10:1 VSWR的額定功率。它們被安裝到飛思卡爾NI1230陶瓷氣腔封裝包里，提供集成的靜電放電（ESD）保護，從而更好地防止在總成線上所遇到雜散電壓；當以C類模式操作時，-6 V～+10 V這樣廣泛門限電壓范圍則能提高其性能。
    MRF8P18265H/S是雙路徑器件，在單個封裝中需要同時集成載波和峰值放大器來實施Doherty末級別放大器。
    特性
    (1)MRF8S18260H/S
    · 1 805 MHz～1 880 MHz；
    · P1dB功率為260 W CW；
    · 平均輸出功率達到74 W時，AB類漏極效率為31.6%；
    · 增益為17.9 dB。
    (2)MRF8S19260H/S
    · 1 930  MHz～1 990 MHz；
    · P1dB功率為245 W CW；
    · 平均輸出功率達到74 W時，AB類漏極效率為 34.5%；
    · 增益為18.2 dB。
    (3)MRF8P18265H/S
    · 1 805 MHz～1 880 MHz；
    · 峰值（P3dB）功率為280 W；
    · 平均輸出功率達到72 W時，Doherty漏極效率為43.7%；
    · Doherty增益為16 dB。
    關于HV8
    飛思卡爾第八代LDMOS器件旨在降低AM/AM和AM/PM的失真率，實現最高效率、寬帶運營、可靠性及采用DPD技術的Doherty應用的耐用性。與以前幾代飛思卡爾LDMOS器件相比，在Doherty應用中HV8 器件的效率通常要高出4～6個百分點。 這些器件證明在大量帶寬中，其非對稱Doherty放大器的效率能超過50%，同時還保持出眾的線性性能。 在無線載波中，這樣可以降低冷卻要求和縮減基站運營成本，同時讓放大器的設計變得更小、更輕便。
    定價和供貨情況
    MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S現已開始生產。參考設計和其他支持工具也已供貨。 如需了解定價信息，請與飛思卡爾半導體當地銷售辦事處或授權分銷商聯系。