摘　要： 通過一個(gè)完整的實(shí)例，詳細(xì)闡述了TMS320C54x系列DSP芯片在線燒寫" title="燒寫">燒寫FLASH存儲器，并實(shí)現(xiàn)自舉" title="自舉">自舉引導(dǎo)的方法。給出了硬件連接方案和完整的C語言燒寫程序。
　　關(guān)鍵詞： TMS320C54x FLASH 燒寫 自舉引導(dǎo)

　　在向FLASH寫入上述命令的時(shí)候，當(dāng)最后一個(gè)總線周期完成時(shí)，F(xiàn)LASH便會啟動內(nèi)部算法，實(shí)現(xiàn)自動擦除、編程等內(nèi)部操作。
　　對FLASH的正確操作順序是：先復(fù)位，再擦除(片擦除或者扇區(qū)擦除)，最后編程。
　　FLASH進(jìn)行內(nèi)部操作需要一定的時(shí)間，在這個(gè)過程中，F(xiàn)LASH會提供一些標(biāo)志信號，通知用戶內(nèi)部操作過程是否已經(jīng)結(jié)束。為簡單起見，在對FLASH操作時(shí)不查詢?nèi)魏螛?biāo)志，而是采取延時(shí)的方法，等待FLASH內(nèi)部操作結(jié)束，再進(jìn)行下一步。延時(shí)的時(shí)間應(yīng)該足夠長，以保證FLASH擦除或編程成功。具體的延時(shí)時(shí)間應(yīng)根據(jù)不同的系統(tǒng)確定。
　　根據(jù)上述FLASH的操作原理，編寫了如下幾個(gè)主要的C語言操作子程序" title="子程序">子程序：
　　typedef　　 unsigned char BYTE;
　　void ResetFlash()　　　　　　// FLASH復(fù)位子程序
　　{
　　BYTE *pa;
　　pa=(BYTE *)0x8000;
　　*pa=0x0F0;
　　}
　　void EraseFlash()　　　　　　// FLASH片擦除子程序
　　{
　　BYTE *pa;
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x0AA;
　　pa=(BYTE *)0x82AA;
　　*pa=0x055;
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x080;　　
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x0AA;　　　　
　　pa=(BYTE *)0x82AA;
　　*pa=0x055;
　　pa=(BYTE *)0x8555;
　　*pa=0x010;　　
　　delay_10s();　　　　　　//延時(shí)10s
　　}
　　void WriteFlash(BYTE *pa,int pd)　　//寫FLASH某個(gè)單元的子程序
　　{
　　BYTE *tmp;　　
　　tmp=(BYTE *)0x8555;
　　*tmp=0x0AA;　　
　　tmp=(BYTE *)0x82AA;
　　*tmp=0x055;　　　　
　　tmp=(BYTE *)0x8555;
　　*tmp=0x0A0;　　
　　*pa=pd;　　
　　delay_200ms();　　//延時(shí)200ms
　　}
　　延時(shí)子程序可用簡單的加法計(jì)數(shù)實(shí)現(xiàn)，例如延時(shí)10s的子程序示例如下：
　　delay_10s()
　　{
　　int i;
　　int j;
　　for(i=0;i＜0x100;i++)
　　{
　　for(j=0;j＜0x01000;j++);
　　}
　　}
　　具體的延時(shí)時(shí)間需要根據(jù)系統(tǒng)的時(shí)鐘設(shè)置，應(yīng)重新調(diào)整延時(shí)子程序中的i和j的值來確定，直到能夠成功地操作FLASH為止(可以通過CCS集成開發(fā)環(huán)境的“View→Memory...”菜單命令來查看被操作的FLASH單元是否成功擦除或?qū)懭?。
4 TMS320C5416在線燒寫MBM29LV400BC的C語言程序
　　利用CCS編譯并鏈接得到的目標(biāo)文件(*.out文件)是二進(jìn)制的COFF格式文件，需要利用Hex轉(zhuǎn)換工具將其轉(zhuǎn)換為大多數(shù)編程器能夠接收的格式之一(如ASCII碼十六進(jìn)制格式、Intel格式等)，然后利用專門的燒寫工具燒寫FLASH，這個(gè)方法在一般的用戶系統(tǒng)上不便于實(shí)現(xiàn)。但是根據(jù)前面所述DSP的Boot原理，則可以寫一段很簡單的燒寫程序，按照Boot表格式，將目標(biāo)代碼在線燒寫進(jìn)FLASH。
　　現(xiàn)在用一個(gè)實(shí)際的例子來說明在線燒寫的過程。具體過程如下：
　　建立兩個(gè)獨(dú)立的工程文件：MyProject.pjt和FlashBurn.pjt。前者生成的目標(biāo)文件就是要燒入到FLASH中的用戶程序，后者則用來實(shí)現(xiàn)燒入過程。MyProject.pjt有兩個(gè)程序段：第一段是“.text”段，位于0x1000開始的單元，長度為0x2e。它用中斷的方法實(shí)現(xiàn)LED燈的閃爍；第二段為“.VECTORS”段，位于0x0080開始的單元，長度為0x0078。它實(shí)現(xiàn)中斷向量表的重新映射。程序執(zhí)行入口地址也在0x1000單元。燒寫時(shí)只需燒寫用戶程序的已初始化段(代碼或數(shù)據(jù)表)。用戶程序各段的起始單元及其長度可以參考該工程編譯鏈接后所生成的.map文件(如本例的MyProject.map)，這是編寫燒寫程序的依據(jù)。
　　燒寫工程文件FlashBurn.pjt只有一個(gè)程序段，定位在0x7000開始的存儲區(qū)(注意不要與MyProject.pjt所占的程序空間有重疊)，并將其_c_int00直接定位到該區(qū)域。
　　用戶程序擬燒寫到外部FLASH的0x8000開始的存儲區(qū)。
　　兩個(gè)工程建立并且編譯完畢后，在CCS中先打開MyProject.pjt工程文件，用“File→Load Program...”菜單命令下載用戶程序目標(biāo)代碼MyProject.out；再打開FlashBurn.pjt工程文件，下載FlashBurn.out，運(yùn)行FlashBurn.out，即可將MyProject.out代碼及其Boot引導(dǎo)信息寫入到FLASH中。
　　脫離仿真器，令MP/MC=0，上電復(fù)位，即可實(shí)現(xiàn)自舉加載并自動運(yùn)行。
　　本例的燒寫工程文件FlashBurn.pjt的C語言主程序如下：
　　typedef unsigned char BYTE;
　　void main()
　　{
　　BYTE *FlashPtr;　　　　//指向FLASH的指針
　　int FlashData;　　　　　　//寫往FLASH的數(shù)據(jù)
　　int i;
　　BYTE *OriMem;　　　　//代碼在片內(nèi)RAM的源地址
　　int iDatalen;　　　　　　//代碼段長度
　　ResetFlash();　　　　　　//復(fù)位FLASH　　　　
　　EraseFlash();　　　　　　//整片擦除FLASH　　　　
　　//開始燒寫FLASH，下面為Boot表引導(dǎo)信息　　　　　　
　　FlashPtr=(BYTE *)0x8000;
　　FlashData=0x10AA; 　　//16位存儲器格式
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x7FFF;　　　　//置SWWSR初始化值
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x0F800;　　//置BSCR初始化值
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x0000;　　　　//程序執(zhí)行入口偏移地址XPC
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　
　　FlashData=0x1000;　　　　//程序執(zhí)行入口地址PC
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　
　　FlashData=0x002e;　　　　//第一個(gè)程序段的長度
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　　　　　　　FlashData=0x0000;　　　　//第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部
　　　　　　　　　　　　RAM區(qū)偏移地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　　　
　　FlashData=0x1000;　　　　//第一個(gè)程序段要裝入的內(nèi)部
　　　　　　　　　　　　RAM區(qū)地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　
　　//開始燒寫第一段程序　　　　
　　OriMem=(BYTE *)0x1000;　　　　//第一段程序首地址
　　iDatalen=0x002e;　　　　　　　　//第一段程序長度
　　for(i=0;i＜iDatalen;i++)
　　{
　　　　FlashData=*OriMem++;
　　　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);
　　}　　　　
　　//第二段程序(中斷向量表)Boot引導(dǎo)信息　　　　
　　FlashData=0x0078;　　　　　　 //第二個(gè)程序段的長度
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　　　　　
　　FlashData=0x0000;　　　　　　 //第二個(gè)程序段要裝入的
　　　　　　　　　　　　　　 內(nèi)部RAM區(qū)偏移地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　
　　FlashData=0x0080;　　　　　　//第二個(gè)程序段要裝入的
　　　　　　　　　　　　　　內(nèi)部RAM區(qū)地址
　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);　　　　　　
　　//開始燒寫第二段程序(中斷向量表)　　　　
　　OriMem=(BYTE *)0x080;　　//第二段程序首地址
　　iDatalen=0x0078;　　　　　　//第二段程序長度
　　for(i=0;i＜iDatalen;i++)
　　{
　　　　FlashData=*OriMem++;
　　　　WriteFlash(FlashPtr++,FlashData);
　　}　　　　　　　　　　　　　　　　
　　//程序燒寫結(jié)束,寫入Boot表結(jié)束標(biāo)志
　　FlashData=0x0000;　　　　　　//引導(dǎo)表結(jié)束標(biāo)志
　　WriteFlash(FlashPtr,FlashData);　　
　　//在數(shù)據(jù)空間0xFFFF寫入引導(dǎo)表起始地址　　　　
　　FlashPtr=(BYTE *)0x0FFFF;
　　FlashData=0x8000;
　　WriteFlash(FlashPtr,FlashData);
　　for(;;);　　　　　　　　　　//FLASH燒寫完畢　　
}
本文所敘述的方法簡單方便，無需考慮FLASH的存儲格式。如果要燒寫其它用戶程序，只需修改FlashBurn.pjt中有關(guān)用戶程序的起始地址、代碼段長度等參數(shù)即可，因此通用性較好。文中所提供的程序已全部經(jīng)過調(diào)試，能夠成功運(yùn)行。
參考文獻(xiàn)
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5 唐 冰. TMS320C5410燒寫FLASH實(shí)現(xiàn)并行自舉引導(dǎo).單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用,2003(4)