設在柏林的Ferdinand Braun超高頻（FBH）研究所已經開發了晶體管開關頻率" title="開關頻率">開關頻率可以超過200GHz的半導體工藝" title="半導體工藝">半導體工藝。該工具還有可能吸引半導體工業" title="半導體工業">半導體工業的其他特點：該工藝具有實現三維集成電路的能力。
由FBH的研究人員開發的轉移襯底工藝采用銦砷化鎵（InGaAs）作為晶體管有源區材料。首先，在襯底晶圓" title="晶圓">晶圓上生長非常薄的磷化銦和InGaAs層。FBH微波技術部門的主管Wolfgang Heinrich解釋說，這些層的厚度低于10納米。第二步，通過正常的刻蝕和金屬化工藝完成沉積層的圖形化。之后將該晶圓的正面鍵和到陶瓷載體；再采用標準的減薄工藝去除襯底晶圓。
去除襯底晶圓后，露出了背面的有源層，可以在上面再鍵和其他層，Heinrich這樣介紹。電路制作過程中，由于去除了襯底晶圓，因此將不會對晶體管的介電效率造成不良影響。“不會再有硅引起的塵埃效應了，”Heinrich說。“這樣晶體管的截止頻率會超過200 GHz，”Heinrich解釋說。根據該研究所發布的規范，fT為410 GHz；fmax高達480 GHz。
除了具有很高的工作頻率外，該工藝另一個引人注目的特征是：在有源層頂部還可以制作其他層，這樣就有了制作三維電路的可能，同目前的二維芯片相比這可以極大地提高芯片的集成程度。
根據Heinrich介紹，該研究所尚未決定是否以及如何將該技術商業化，因此何時能將該技術應用到工業產品中還是個未知數。然而，他承認，該研究所已經在同至少一家機構對工業化問題進行協商。
由FBH的研究人員開發的轉移襯底工藝采用銦砷化鎵（InGaAs）作為晶體管有源區材料。首先，在襯底晶圓" title="晶圓">晶圓上生長非常薄的磷化銦和InGaAs層。FBH微波技術部門的主管Wolfgang Heinrich解釋說，這些層的厚度低于10納米。第二步，通過正常的刻蝕和金屬化工藝完成沉積層的圖形化。之后將該晶圓的正面鍵和到陶瓷載體；再采用標準的減薄工藝去除襯底晶圓。
去除襯底晶圓后，露出了背面的有源層，可以在上面再鍵和其他層，Heinrich這樣介紹。電路制作過程中，由于去除了襯底晶圓，因此將不會對晶體管的介電效率造成不良影響。“不會再有硅引起的塵埃效應了，”Heinrich說。“這樣晶體管的截止頻率會超過200 GHz，”Heinrich解釋說。根據該研究所發布的規范，fT為410 GHz；fmax高達480 GHz。
除了具有很高的工作頻率外，該工藝另一個引人注目的特征是：在有源層頂部還可以制作其他層，這樣就有了制作三維電路的可能，同目前的二維芯片相比這可以極大地提高芯片的集成程度。
根據Heinrich介紹，該研究所尚未決定是否以及如何將該技術商業化，因此何時能將該技術應用到工業產品中還是個未知數。然而，他承認，該研究所已經在同至少一家機構對工業化問題進行協商。
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