7 月 30 日消息，三星電子在去年末與美國商務部達成了最終版本的《CHIPS》法案激勵計劃，相較同年 4 月的初步備忘錄取消了有關在得克薩斯州泰勒市建設 3D HBM 和 2.5D 封裝先進封裝的內容。
而根據韓國媒體 hankyung 的報道，在泰勒市晶圓廠獲特斯拉大額先進制程訂單和韓美貿易談判進入關鍵階段的雙重背景下，三星電子重新考慮在泰勒市導入先進封裝產能，追加投資規模預計將達約 70 億美元（注：現匯率約合 502.63 億元人民幣）。
以特斯拉 AI6 為代表的先進制程芯片存在對先進封裝技術的天然需求。在泰勒市實現 AI6 的前端 + 后端一體化生產符合特斯拉在美國構建本地化芯片產能的目標；而這筆大交易也可能帶動其它客戶向三星泰勒廠下達代工訂單。
而在另一方面，韓國的另一大半導體企業 SK 海力士也在考慮在美國建設 DRAM 晶圓廠，與此前宣布的 HBM 先進封裝設施形成協同效應，避免需要外部 DRAM 供應才能完成 HBM 制造的局面。
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