5 月 23 日消息，HBM4 已成為內(nèi)存巨頭的新競技場，三星正通過激進投資縮小與 SK 海力士的差距。科技媒體 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）報道稱，三星計劃在韓國華城和平澤擴大 1c DRAM（第六代 10nm 級）生產(chǎn)，相關(guān)投資將在年底前啟動。

援引博文介紹，SK 海力士和美光選擇 1b DRAM 作為 HBM4 的基礎(chǔ)技術(shù)，而三星大膽押注更先進的 1c DRAM，表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。

此外還有消息稱，三星還考慮在今年底前將華城 17 號生產(chǎn)線從 1z DRAM 轉(zhuǎn)為 1c DRAM 生產(chǎn)，以進一步擴大產(chǎn)能。

該媒體指出，三星今年早些時候已在平澤第四園區(qū)（P4）啟動首條 1c DRAM 生產(chǎn)線，目標月產(chǎn)能為 3 萬片晶圓。若后續(xù)擴建順利，月產(chǎn)能有望提升至 4 萬片。

韓媒 Chosun Biz4 月報道，三星用于 12 層 HBM4 的關(guān)鍵組件 ——4nm 邏輯芯片，已在測試生產(chǎn)中實現(xiàn)超過 40% 的良率。

集邦咨詢 TrendForce 預(yù)測，受強勁需求推動，2026 年 HBM 總出貨量將突破 300 億吉比特，HBM4 將在 2026 年下半年超越 HBM3e，成為市場主流解決方案。