2月19日，泛林集團宣布推出全球首個利用金屬鉬的能力生產尖端半導體的工具ALTUS Halo，可以為先進半導體器件提供卓越的特征填充和低電阻率、無空隙鉬金屬化的高精度沉積。

泛林集團表示，ALTUS Halo是ALTUS 產品系列的最新成員，目前正在與所有領先的芯片制造商進行資格認證和爬坡，它代表了半導體金屬化新時代的轉折點，為未來人工智能、云計算和下一代智能設備的高級存儲器和邏輯芯片的擴展鋪平了道路。

ALTUS Halo 利用鉬的潛力隨著下一代應用的性能要求不斷提高，對更先進半導體和新制造工藝的需求也在增加。金屬的逐原子沉積在當今所有尖端芯片的制造中都是必不可少的。鎢基原子層沉積技術由泛林集團率先提出，二十多年來一直是用于接觸和線的沉積和無空隙填充的主要金屬化技術。然而，為了在未來擴展 NAND、DRAM 和邏輯器件，芯片制造商需要將金屬化程度轉變為超越目前鎢集成所能實現的程度。憑借 ALTUS Halo，泛林集團在半導體行業從鎢到鉬的過渡中發揮著領導作用。

“基于泛林集團深厚的金屬化專業知識，ALTUS Halo 是 20 多年來原子層沉積領域最重大的突破，”Lam Research 高級副總裁兼全球產品集團總經理 Sesha Varadarajan 說。“它匯集了泛林集團的四站模塊架構和 ALD 技術的新進展，為大批量制造提供工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興和未來芯片變化的關鍵要求，包括 1,000 層 3D NAND、4F2DRAM 和先進的 gate-all-around logic。

鉬實現下一代芯片

所需的低電阻金屬化為了使半導體工作，快速電信號通過 3D NAND 字線等連接來發送命令。納米級特征被蝕刻，當不能使用銅時，它們傳統上會填充鎢以形成必要的連接。金屬電阻率越低，信號速度越快。此外，在傳統的鎢基布線中，會添加額外的阻擋層以防止不必要的電氣相互作用。隨著 NAND、DRAM 和邏輯擴展到更復雜的架構（包括 3D 集成），電信號必須通過更嚴格的連接。這增加了瓶頸和速度變慢的可能性，在某些情況下還增加了電氣短路的可能性。

鉬是這些和未來應用的理想金屬，因為它在納米級線中的電阻率低于鎢，并且不需要粘附層或阻擋層，從而減少了工藝步驟的數量，提高了效率并有助于提高芯片速度。基于數十年的金屬化和先進開發專業知識，以及沉積技術的新創新，Lam 首次使鉬的 ALD 可用于大規模生產。在大多數情況下，與傳統的鎢金屬化相比，ALTUS Halo 的電阻提高了 50% 以上。

ALTUS Halo 已開始量產

ALTUS Halo 提供半導體行業中最精確、最先進的鉬沉積。ALTUS Halo 工具系列針對一系列金屬化需求進行了優化，能夠使用化學和熱柔韌性以及等離子體為溫度敏感應用進行保形或選擇性沉積，并帶有自下而上的填充特征。

在韓國和新加坡設有晶圓廠的領先大批量 3D NAND 制造商以及先進的邏輯晶圓廠已開始采用早期采用，同時 DRAM 客戶的開發仍在繼續。

“鉬金屬化的集成使美光能夠在最新一代 NAND 產品中率先推出行業領先的 I/O 帶寬和存儲容量，”美光 NAND 開發公司副總裁 Mark Kiehlbauch 說。“泛林集團的 ALTUS Halo 工具使美光能夠將鉬投入大規模生產。”