2 月 11 日消息，韓媒 ZDNet Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子對(duì)其正在研發(fā)中的下一代 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存進(jìn)行了設(shè)計(jì)調(diào)整，以期更快實(shí)現(xiàn)良率提升。
報(bào)道稱，三星此前為 1c nm 內(nèi)存設(shè)定了更為嚴(yán)格的線寬要求，目的是增加存儲(chǔ)密度，提升單位晶圓的位元產(chǎn)出，進(jìn)而建立相較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的成本優(yōu)勢(shì)。不過更低的線寬也意味著對(duì)工藝穩(wěn)定性的要求更高，這對(duì)三星造成了良率方面的壓力。
知情人士宣稱，三星電子在 2024 年底對(duì) 1c nm DRAM 的設(shè)計(jì)進(jìn)行了更改：核心電路線寬保持不變，外圍電路線寬的要求則被放松，目的是盡快讓 1c nm 的良率上升至支持大規(guī)律量產(chǎn)的水平。
考慮到 1c nm 將被用于 HBM4 內(nèi)存、此前 1b nm 面臨一系列良率問題等因素，1c nm 是否能順利進(jìn)入量產(chǎn)將深刻影響三星電子未來數(shù)年在 DRAM 領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。