1 月 13 日消息，據韓媒“每日經濟新聞”報道，三星電子正在美國得克薩斯州泰勒市建設一座先進的半導體芯片工廠，該公司聲稱其獲得了美國政府提供的 47.4 億美元（注：當前約 348.34 億元人民幣）激勵資金，相應工廠計劃于 2026 年開始大規模芯片生產，目標是與臺積電展開競爭。
據報道，三星美國泰勒工廠將生產 2 納米和 3 納米工藝芯片。公司計劃在 2026 年初引入所有必要設備，并在年底前啟動量產。相比之下，三星的最大競爭對手臺積電已經在其位于美國亞利桑那州的工廠開始生產 4 納米芯片，并計劃在今年內具備生產 2 納米和 3 納米芯片的能力。
在技術上，三星將在 2 納米和 3 納米工藝中采用全柵極（Gate-All-Around, GAA）技術，而臺積電則會在 3 納米工藝中使用極紫外光刻（EUV）技術，并在 2nm 工藝中轉向 GAA 技術。盡管三星在進度上略晚于臺積電，但其計劃通過提供“從開發到生產的一站式解決方案”吸引客戶，據稱可將代工項目“從設計到量產的時間縮短約 20%”。
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