10 月 30 日消息，分析機構 TrendForce 集邦咨詢表示，三大 HBM 內存巨頭在對堆疊高度限制、I/O 密度、散熱等要求的考量下，已確定于 HBM5 20hi（注：即 20 層堆疊）世代使用混合鍵合 Hybrid Bonding 技術。

該機構認為，在 HBM4、HBM4e 兩代產品上 SK 海力士、三星電子、美光三家企業均會推出 12hi、16hi 版本以滿足對不同容量的需求，其中 12hi 產品將繼續使用現有的微凸塊鍵合技術，16hi 產品技術路線尚未確定。

此外英偉達未來 AI GPU 將與 HBM5 內存以 3D 堆疊而非現有 2.5D 的形式集成。

機構表示，無凸塊的混合鍵合技術可容納較多堆疊層數，也能容納較厚的晶粒厚度，以改善翹曲問題，能提升芯片傳輸速度，散熱表現也更為優異，但還需克服微粒控制等技術問題。

在 HBM4(e)16hi 產品上是否采用混合鍵合是一個兩難問題：提前導入混合鍵合固然可及早經歷新堆疊技術的學習曲線，確保 HBM5 20Hi 順利量產，但也意味著額外的設備投資，此前在微凸塊鍵合上積累的技術優勢也將部分損失。

混合鍵合需以 WoW（晶圓對晶圓）模式堆疊，不僅對前端生產良率提出了更高要求，也意味著第一層（也是每一層）DRAM 芯片的尺寸需與底部 Base Die 相同。

而 HBM 內存的 Base Die 正走向外部化、定制化，臺積電等同時具備先進 Base Die 生產與 WoW 堆疊能力的企業有望更深程度參與 HBM 生產，從而改變 HBM + 先進封裝鏈條的商業模式。