10月16日，市場調研機構TrendForce在“AI 時代半導體全局展開──2025 科技產業大預測”研討會上指出，隨著全球前三大HBM廠商持續擴大產能，預計2025年全球HBM產能將同比大漲117%。
TrendForce 分析師王豫琪表示，從HBM產品類型來看，由于英偉達（NVIDIA）自Blackwell GPU開始，新產品會逐步轉往12 層HBM3e，明年HBM3e 將取代HBM3 成主流產品，占整體HBM市場需求的89%。由于HBM3e 平均售價（ASP）大約是傳統DRAM產品的3-5倍，隨著HBM3e產能的持續擴張，營收貢獻將逐季增長。至于中國大陸的HBM營收主要來自于HBM2e 帶來的貢獻。
目前SK海力士、美光、三星這三大存儲芯片廠商的12 層HBM3e 都在向英特爾送樣驗證階段，預期后續驗證完成、良率提升后，出貨量將大幅提升。
對于NAND Flash市場，TrendForce 研究經理敖國鋒表示，NAND Flash 供應商經歷2023 年巨額虧損后，資本支出轉趨保守。同時，DRAM 和HBM 等存儲產品需求受惠AI 浪潮，將排擠2025年NAND Flash 設備投資，使過去嚴重供過于求的市況將有所緩解。不過，AI 應用對高速、大容量儲存的需求日益增加，也將推動Enterprise SSD (eSSD) 市場的蓬勃發展。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。