9月8日消息，據彭博社引述消息人士的話報道稱，臺積電位于美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經開始基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產，其良率已經與臺積電位于中國臺灣的南科廠良率相當。臺積電表示，項目照計劃進行，并且進展良好。

根據規劃，臺積電將在美國亞利桑那州鳳凰城建設三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是4nm制程晶圓廠，晶圓二廠則是3nm晶圓廠。此前由于缺乏熟練工人等問題，導致晶圓一廠的量產時間從2024年推遲到了2025年，晶圓二廠的量產時間也由原定的2026年推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計將年產超過60萬片晶圓，換算至終端產品市場價值預估超過400億美元。

此外，臺積電還將在亞利桑那州建設第三座晶圓廠，預計將在21世紀20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先進的制程技術進行芯片生產。

臺積電這三座晶圓廠的總投資將會達到650億美元。為此，美國政府已經承諾將依據《芯片與科學法案》為臺積電提供66億美元補貼。

根據此前的傳聞顯示，臺積電美國亞利桑那州晶圓一廠在今年4月中旬完成了第一條生產線的架設，并開始接電并投入第一批晶圓試產。而根據彭博社最新的報道來看，基于該生產線的第一批試產的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續如果量產，良率將不是問題。

另外，按照晶圓一廠從試產到量產約6.5個月、驗證一個月估算，臺積電有機會在今年底就完成量產所有準備，那么明年上半年將實現量產。預計屆時蘋果、英偉達、AMD、高通等美國芯片設計大廠都將會下單。