8月3日消息，據etnews報道，SK海力士計劃在2025年上半年量產321層NAND Flash之后，在2025年底開始量產400層NAND Flash，并希望在2026年上半年過渡到大規模生產。
然而，要想量產高達400層的NAND Flash并不容易，生產過程中需要用到多種鍵合技術。SK海力士已經在審查用于鍵合的新材料，并研究各種技術，這些技術將允許通過拋光、蝕刻、沉積和布線等方法連接不同的晶圓。
整個過程需要幾個步驟，如Cell結構設計，重點是每層Cell的排列和堆疊。然后通過清洗和沉積SiO2和Si3N4薄膜層來制備硅片。然而，當通過大量重復逐一堆疊層時，該過程需要細致地執行。
SK海力士達到400層的方法是通過Peripheral Under Cell方法將控制存儲單元的外圍電路位于底部，而存儲單元則堆疊在頂部。這種方法會提升集成度，控制尺寸，但也確實會帶來損壞外圍電路的問題，因為添加層會產生更多的熱量和壓力。
因此，SK海力士正計劃實施混合鍵合方法，該方法涉及在兩個單獨的晶圓上分別制造存儲單元和外圍電路。然后，通過混合鍵合技術將晶圓粘合在一起，以降低損壞的風險。通過高層數，NAND芯片可以在不增加尺寸的情況下存儲更多的數據。這不僅為緊湊型系統節省了空間并增加了存儲容量，而且還帶來了更經濟的存儲解決方案。
SK海力士此前已經實現了321層NAND Flash的樣品，并于2023年8月展出，目前計劃于2025年上半年開始量產。美光最近推出了具有 276 層的NAND Flash。三星已開始大規模生產具有 290 層的TLC單元，即第 9 代垂直堆疊 NAND Flash。
相對于SK海力士400層NAND Flash的目標，三星期待在2030年推出高達1000層的NAND Flash。而目前只達到218層NAND Flash的日本鎧俠公司計劃在三星之前達到1000層。
